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Android安全综述 总被引:19,自引:0,他引:19
Android是一款拥有庞大市场份额的智能移动操作系统,其安全性受到了研究者的广泛关注.介绍了Android的系统架构,分析了Android的安全机制,从系统安全和应用安全2个角度对其安全性能和相关研究进行了讨论.Android系统安全包括了内核层安全、架构层安全和用户认证机制安全3个方面.内核层和架构层的安全威胁主要来自于安全漏洞,内核层的安全研究集中于将SELinux引入内核层以增强安全性能,架构层的安全研究集中于权限机制的改进和应用编程接口(application programming interface,API)的安全实现、规范使用.用户认证机制直接关系到整个系统的隐私数据安全,实现方式灵活多样,得到了研究者的广泛关注.Android应用安全的研究包括了恶意应用检测和漏洞挖掘2项技术,对恶意应用的伪造技术、应用安装时恶意应用检测技术和应用运行过程中实时行为监控技术进行了讨论,对组件暴露漏洞和安全相关API的调用漏洞2类漏洞的相关研究进行了介绍.最后,总结了Android安全研究现状,讨论了未来的研究方向. 相似文献
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基于三方的口令认证密钥交换(3PAKE)协议是客户通过与可信服务器共享一个口令验证元,在两客户进行通信时通过此可信服务器进行会话密钥的建立与共享,从而进行通信。首先对李文敏等人提出的协议进行安全性分析,发现该协议易受离线字典攻击和服务器泄露攻击。提出了一个改进协议,该协议能够提供双向认证、会话密钥机密性和前向安全性,能够有效抵抗多种攻击,包括离线字典攻击和服务器泄露攻击。 相似文献
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为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管(PPD,pinned photodiode)量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面(SRH,shockley-read -hall)复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P+型表面层和P型外延(EPI,e pi taxial)层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明 ,P+型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和 PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而 后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩 减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势垒 区底部上移,导致500~750nm 波段量子效率的衰减;P型EPI厚度增加引起衬底强SRH复合区光电荷比重降低,导致高于700 nm波段量 子效率得到提升并趋向饱和。通过分析发现,Si基材料中光子吸收深度对波长的强依赖关系 是导致两种P型 掺杂区工艺条件对量子效率存在波段差异性影响的根本原因。 相似文献
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A novel analytical model of pinch-off voltage for CMOS image pixels with a pinned photodiode structure is proposed. The derived model takes account of the gradient doping distributions in the N buried layer due to the impurity compensation formed by manufacturing processes; the impurity distribution characteristics of two boundary PN junctions located in the region for particular spectrum response of a pinned photodiode are quantitative analyzed. By solving Poisson's equation in vertical barrier regions, the relationships between the pinch-off voltage and the corresponding process parameters such as peak doping concentration, N type width and doping concentration gradient of the N buried layer are established. Test results have shown that the derived model features the variations of the pinch-off voltage versus the process implant conditions more accurately than the traditional model. The research conclusions in this paper provide theoretical evidence for evaluating the pinch-off voltage design. 相似文献
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为研究基坑施工和结构底板施工等对下方既有地铁隧道结构安全的影响,以某地铁上盖建筑为研究背景,运用有限元软件建立了地铁上盖建筑-地铁隧道的数值分析模型,分析了上部结构底板施工对下方地铁隧道变形的影响。并结合隧道变形的监测数据,探究了建筑结构底板施工对隧道变形影响的原因及控制方法。相关研究成果可为地铁上盖建筑的安全施工提供参考和依据。 相似文献
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为了研究近海大气环境氯离子作用下砖砌体的力学性能,采用中性盐雾实验模拟近海大气环境,利用质量分数为5%的氯化钠溶液分别对砂浆试块、烧结普通砖、砖砌体试件进行干湿循环腐蚀试验,对不同腐蚀次数的各试件进行抗压性能测试,分析了各试件抗压强度、砖砌体应力-应变关系及弹性模量随腐蚀次数增加的变化,并对砖砌体的实测应力-应变关系进行拟合,得到不同腐蚀循环次数下砌体的本构关系曲线。结果表明,循环腐蚀100次后,混合砂浆试块和砖砌体试件的抗压强度有轻微的增加,普通砖块的抗压强度略有减小,但当腐蚀次数逐渐增大时,砖砌体试件的抗压强度、应力-应变曲线斜率、弹性模量都呈较明显的降低趋势,说明近海大气环境下氯离子对砌体结构的腐蚀作用较大。 相似文献
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基于TCAD(TechnologyComputerAidedDesign)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nto体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SET(SingleEventTransient)电流的脉冲宽度,有效抑制寄生双极电荷收集,这种抑制作用随着保护环宽度增加而增强,最终趋于稳定.通过对加固器件的面积和抗辐射性能的折衷考虑,改进了保护环结构,并以宽度为0.38μm的保护环为例,证明了改进后的结构能够在保证器件抗单粒子性能及电学特性,同时节省29.4%的面积. 相似文献
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近年来,随着全球人口剧增、城市化进程以及现代工业化进程的加快,两大主要化石燃料能源——煤和石油的消耗量日益增加,同时煤和石油在燃烧过程中产生大量硫和氮的氧化物等,这些氧化物排放到大气中将生成二次污染物硫酸和硝酸,生成的二次污染物和硝酸再遇雨、雪、雾等而形成酸雨。我国是世界上第三大酸雨区,酸雨对水生生态系统、陆生生态系统、人体健康、建筑物等均有很大的危害,给世界各国造成了巨大的经济损失,成为全球性的重大环境问题。混凝土结构因具有取材方便、可模性好、价格低廉、抗压强度高及耐火性好等优点被广泛应用,已成为我国最主要的结构形式之一。但由于混凝土材料中存在大量碱性化合物,可与酸雨发生中性化反应,导致其表面硬化水泥溶解,材料表面变质,进而引起其物理力学性能的劣化。同时,钢筋表面钝化膜由于混凝土碱性下降而发生锈蚀,锈蚀物的产生使混凝土构件膨胀,并产生裂缝,最终使混凝土结构失效。酸雨对混凝土结构耐久性的劣化影响已引起众多学者的关注。目前,国内外学者对酸雨侵蚀混凝土的研究主要集中于:(1)酸雨对水泥混凝土的腐蚀机理及劣化规律的研究;(2)酸雨侵蚀介质、pH值以及矿物掺合料的种类等对混凝土材料及构件侵蚀性能的影响;(3)不同酸雨侵蚀加速试验方法的研究,但此方面研究仍较少,尤其是结构户外暴露试验研究;(4)酸雨侵蚀混凝土结构的静态、动态力学性能的研究,这一方面的研究亦相对较少,目前国内外仍缺乏系统的研究报道。因此,为了明确酸雨对混凝土结构的侵蚀行为,本文对近30年国内外有关酸雨对混凝土耐久性影响的研究报道进行了评述,重点讨论了酸雨对混凝土结构静态及动态力学性能的影响。首先详述了酸雨对混凝土材料的腐蚀机理和劣化过程,其次总结了酸雨加速腐蚀试验方法以及酸雨对混凝土结构力学性能影响的相关研究;最后讨论了当前有关酸雨侵蚀混凝土研究的一些重要问题,并对今后需进一步研究的问题提出了建议。 相似文献