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1.
磁控溅射在镁合金表面处理中的应用   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用磁控溅射制备的合金表面膜层具有防腐蚀性能优异、耐磨性强等优点,其作为镁合金表面处理技术具有良好的发展趋势。简要介绍了磁控溅射的基本原理及其在镁合金表面处理中的一些应用,并着重给出了反应磁控溅射“Berg”模型的简化计算方法,最后对国内外磁控溅射的最新技术以及应用于镁合金表面处理的趋势进行了展望。  相似文献   
2.
通过回顾镁合金在汽车领域的发展历程,介绍了镁合金在汽车领域的应用背景,对镁合金在汽车领域应用的优势和发展趋势进行了概述,并对国内外汽车用镁合金零部件进行了综述。  相似文献   
3.
在对等通道角挤压中模具通道夹角、挤压路线和挤压温度研究的基础上,确定了实验中的理想工艺。研究发现,AZ91镁合金经过一个道次的等通道角挤压后,材料中就有大量的超细晶粒出现。随着道次数增加.超细晶粒比例逐渐增多。AZ91镁合金经过225℃四道次+180℃二道次的挤压后,屈服强度和抗拉强度分别达到290MPa和417MPa,伸长率达到8.45%。  相似文献   
4.
短路型石英传感器的平面冲击响应   总被引:1,自引:0,他引:1  
石英传感器已广泛应用于冲击应力波剖面的测量。对不同宽厚比短路型石英传感器在冲击作用下的动态响应特点进行了研究,试验结果表明:不同宽厚比短路型石英传感器的动态响应特点基本相同,其压电系数与冲击应力满足线性关系;传感器压电系数斜升幅度与宽厚比的关系为:当石英传感器的宽厚比大于1.4时,其压电电流的斜升幅度基本不随宽厚比变化,而小于1.4时,压电电流的斜升幅度受边缘效应的影响明显上升,这表明宽厚比小于1.4的石英传感器可应用于实际工程测量。  相似文献   
5.
为了提高Mg-3Al-0.4Mn合金的常温力学性能,研究了铸态和挤压态下Si含量对AM30合金的组织和力学性能的影响.结果表明,增加Si的添加量会生成粗大的汉字状的Mg2Si相,不利于提高合金的力学性能;但经过挤压后,呈汉字状Mg2Si相破碎,变成颗粒细小的Mg2Si相,晶粒细化,有利于提高合金的性能.  相似文献   
6.
中厚板头部弯曲的正交实验及分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
模拟现场生产条件,采用正交实验法对中厚板轧制过程中板头弯曲问题进行了研究.分析了轧制过程中影响钢板头部弯曲的因素,得到各影响因素按其重要性由大到小的排序为:变形区形状参数、轧机上下辊转速比、上下辊辊径比、导入角、来料厚度、摩擦状况,并得到了各影响因素的最佳水平.实验还表明:采用正交实验法显著加快了实验进程,减少了实验周期和实验成本,较快地达到了实验目的.  相似文献   
7.
采用扣式电池循环伏安测试(CV)、充放电测试和扫描电子显微(SEM)技术,研究AZ31合金与工业纯镁(99.95%)作为镁二次电池负极材料时的电化学性能和镁在电极表面的沉积形貌。结果表明:作为镁二次电池的负极材料,AZ31合金与工业纯镁相比,其镁的溶解-沉积的过电位稍高,初始循环过程的库仑效率略低,但长期循环的库仑效率稳定,并能有效抑制枝晶镁的形成,且其长期循环性能优于工业纯镁的。  相似文献   
8.
本文简要回顾了国内外镁合金抗高温氧化机理的研究进展,归纳总结了纯Mg的高温氧化机理和镁合金高温氧化热力学与动力学及抗氧化机理,并探讨了先进表征技术在镁合金高温氧化研究中的潜在应用前景,最后展望了耐高温氧化镁合金的发展方向。主要观点如下:镁合金主要是通过形成具有一定厚度、连续且致密的氧化膜来抑制Mg蒸气向外扩散和O的内渗透;镁合金的高温氧化通常与第二相的热稳定性有密切关系;当微量合金元素不足以在表面生成相应氧化物时,可通过形成置换固溶体和反应性元素效应来提高保护作用;具有表面活性的元素会在合金表面富集并减小氧化物尺寸,从而增强氧化层;合金元素的选择性氧化与协同作用对镁合金的抗氧化性能至关重要;在镁合金中加入纳米或微型颗粒可通过减少特定的氧化区域来提高镁合金的高温抗氧化性。未来关于耐高温氧化镁合金的研究可基于以下方面继续深入:应用先进表征技术精准揭示镁合金抗氧化的机理和本质;建立合金元素与氧化膜晶粒尺寸和力学性能的内在关联;设计合理的多合金元素成分体系。  相似文献   
9.
采用改进熔盐法合成了锂离子电池正极材料Chevrel相的Cu2Mo6S8,用X射线衍射仪、扫描电镜对所得样品的晶体结构、表面形貌等进行了表征,用电化学工作站等对其进行了电化学性能测试。结果表明,熔盐法制备的Cu2Mo6S8材料的晶体结构为Chevrel相,颗粒分布均匀,结晶状态良好;其在1~3 V充放电时,前10次循环容量在100 mAh/g以上;材料的循环曲线中,存在4对充放电平台,与伏安循环曲线的4对氧化还原峰对应;该材料的伏安循环曲线具有较为对称的氧化还原峰,表明该材料具有良好的氧化还原可逆性。  相似文献   
10.
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