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PZT薄膜晶化过程的相变及铁电畴监测 总被引:2,自引:1,他引:2
采用射频磁控溅射法,在室温Pt/Ti/SiO_2/Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜,经不同温度,相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD,AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构,并利用压电响应力显微镜(piezoresponse force microsco-py,PFM)观察了初始晶化和高度晶化样品自发极化形成的铁电畴。结果表明:PZT薄膜晶化发生在550℃,PFM可观察到自发形成的圆形铁电畴。650℃处理的样品晶化最充分并呈现出(111)择优取向,用PFM观察到该样品形成具有强烈压电信号的电畴。由此分别算得铁电相占薄膜总体积的(7.8±0.2)%和(97.3±0.2)%。PFM结合XRD,AFM的运用为寻求铁电薄膜晶化机理提供了新的途径。 相似文献
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通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使LNO单晶薄膜表面存在损伤层,导致薄膜质量和器件性能的衰减。该文提出了Ar+刻蚀去除LNO单晶薄膜损伤层的方法,基于高能离子注入仿真,采用扫描电子显微镜、原子力显微镜分析了刻蚀参数对刻蚀速率、表面形貌的影响,并确定了LNO薄膜损伤层的刻蚀工艺参数。X线衍射分析表明,通过Ar+刻蚀将LNO薄膜摇摆曲线半高宽减至接近注入前LNO单晶材料,压电力显微镜测试表明去除损伤层后的LNO单晶薄膜具备更一致的压电响应。 相似文献
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扫描非线性介电显微镜(SNDM)利用非线性介电效应检测电容的变化情况,分辨率达到亚纳米量级,精度达到10-22F,主要应用于材料微区的电性能研究,目前以这项技术进行的研究主要集中在铁电材料和半导体材料方面,相关的报道也较少.本研究用扫描非线性介电显微镜对集成电路中具有n型与p型掺杂的60μm×60 μm区域进行二维表征,得到定点非线性电容与电压的关系曲线,并由积分得到对应的电容电压特性曲线,认为界面陷阱的作用是金属-氧化物-半导体非线性电容-电压特性曲线突变的影响因素. 相似文献
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