首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
机械仪表   1篇
一般工业技术   3篇
  2008年   1篇
  1993年   3篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
应用于显示光学中的偏振分束棱镜的研制   总被引:2,自引:1,他引:1  
介绍了一种用于硅基液晶光学系统的薄膜型偏振分束棱镜的研制,其中膜系由三种膜料56层膜层构成,文中介绍了设计结果及其制作工艺,并对其测试系统进行了简要说明,测试了制作样品,对测试结果和设计值进行简要分析,结果表明该偏振分束棱镜实现了大角度、宽波段、高消光比的要求。  相似文献   
2.
本文介绍用直流平面磁控溅射方法制备In_2O_3导电薄膜,以该导电薄膜为缓冲层,在硅衬底上沉积YBCO高温超导薄膜。用大直径平面磁控溅射,原位退火方法制备YBCO超导薄膜,用In_2O_3缓冲层来减少YBCO薄膜和Si衬底之间的相互扩散。所制得的YBCO高温超导薄膜的零电阻温度为81K,转变温度为98K,用X光衍射(XRD)方法来分析其微结构,结果表明其微观结构是C轴择优取向。用俄歇微探针(AES)来研究YBCO和In_2O_3、In_2O_3和Si之间的相互扩散情况,结果表明In_2O_3导电缓冲层基本上阻挡住YBCO和Si之间的相互扩散。  相似文献   
3.
用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40~190μΩ·cm范围。它们与n~+型硅的接触电阻在10~(-3)~10~(-6)Ω·cm~2量级;与P型硅的接触电阻为10~(-3)Ω·cm~2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。  相似文献   
4.
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号