ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

SolidWorks在重型机器产品开发中的应用

主流三维CAD软件SolidWorks在重工行业得到了普遍应用,国内许多重工企业购置了SolidWorks软件,并以此作为企业的产品开发平台.华泰重工制造有限公司是一家致力于散状物料输送设备及系统研发与制造的企业,主要产品包括臂式斗轮取料机、圆管带式输送机、装船机、卸船机等.     

聚十二碳二酰癸二胺(PA1012)的合成与性能表征

以十二碳二酸和癸二胺为原料,并添加不同含量的乙酸作为摩尔质量调节剂合成了尼龙1012树脂。利用核磁共振氢谱(1H NMR)对样品结构进行表征,结果证明成功制备了尼龙1012树脂。相对黏度和端基含量测试结果显示,随着乙酸用量的增大,树脂的端羧基含量增大,相对黏度降低。采用差示扫描量热分析(DSC)和热重分析(TG)对树脂热性能进行测试,发现随着树脂相对黏度减小,熔点降低,热稳定性变差。对尼龙样品进行了转矩流变测试,结果表明,乙酸用量较少的样品由于端—NH2基和端—COOH基的含量较高且浓度相近,其在密炼过程中发生了增黏。     

国内聚合物材料研究中HSGC的应用现状

总结和讨论了国内采用顶空气相色谱技术对聚合物材料进行分析的工作,简要介绍了顶空的原理,系统地阐述了顶空的工作方式。     

可用于高功率脉冲激光的面阵CCD模式测量装置

本文介绍了一种用面阵ＣＣＤ摄像机作探测器的激光光束测量装置。整个装置包括光束衰减器、单脉冲选取及脉冲同步、光束直径匹配、ＣＣＤ摄像机、图像卡、计算机及监示器以及系统软件。软件根据激光混合模的二阶矩阵理论［１］编制，可测量高功率、高重复频率脉冲激光的空间能量分布，并可对所测结果进行模拟。由软件给出所测的光束参数，可对光束质量作出正确评价。     

大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性

报道了用ns和fs超快脉冲激光器触发GaAs光电导开关的实验结果.用μJ量级的ns光脉冲触发3mm间隙的GaAs光电导开关,观察到线性和非线性工作模式,峰值电流达560A.当用重复率为76MHz的fs激光脉冲串触发同一器件时,电流脉冲上升时间小于200ps.     

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.     

液晶光子晶体光纤电场传感的模式特性

光子晶体光纤(PCF)的导光特性可通过改变空气孔的结构参数(孔径、间距和排列方式)、材料填充等方法进行调节。由于自身具有电可调性,液晶作为PCF的填充材料具有很大的研究价值,可以用于制作电可调PCF。利用有限元法分析了液晶(E7)填充的光子晶体光纤的基模有效折射率、有效模场面积等参量随占空比、外电场的变化关系,得到了不同占空比下基模的截止电压和一定电压下基模的截止波长。结果表明光子晶体光纤的电压可调范围随占空比增大而增大;占空比一定时,电压越大,波长可调范围越小。这种液晶填充的光子晶体光纤可以应用于电场传感等领域。     

多晶硅薄膜的两步激光晶化技术

采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜，分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系，利用计算结果并优化了激光晶化时的工艺参数，采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管，测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性，从多晶硅薄膜的制备工艺上分析了提高薄膜晶体管性能的原因。