MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有很多圆丘,其均方根粗糙度是所有样品中最高的,综合粗化的表面和优化电学特性的p-InGaN接触层的LED光功率提高23%。     

基于GAMS、Matlab联合仿真的武器分配的均值-CVaR模型

W．P．Malcolm提出将条件风险值（CVaR）理论应用于武器分配问题的设想。借鉴投资组合优化问题的模型,将风险管理的方法引入武器分配问题的模型,来处理武器分配中的随机因素,是一个有益的尝试。本文将基于条件风险值的随机优化优化方法应用于武器分配问题,初步解决了存在随机参数的武器分配问题。