CoCrPtNb／CrTi／C多层膜记录介质的制备和性能研究

采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质，并采用多层膜结构（CoCrPt）100-Nbx/CrTi／C／Glass制备玻璃盘基硬盘。实验结果表明：采用适宜厚度的籽晶层与合适组分的底层和磁性层的多层膜结构，即使在室温下溅射，此种薄膜磁记录介质也可得到高达260kA／m的矫顽力；在550℃高温下，经过30min真空退火后，其矫顽力有较大幅度提高，并在Nb含量为2．4％（原子分数）时达到极大值386kA／m，适用于高密度磁记录。同时，也详细分析了磁性层和底层组分、籽晶层厚度以及真空退火对磁记录介质磁性能和微结构的影响。     

Co-Cr垂直记录软磁盘的研究

本文论述了用射频磁控溅射方法制备Co-Cr垂直记录软盘及其特性。Co-Cr介质的耐磨性与淀积期间的氩气压(PA_r)有很强的依赖关系。我们研制成功的3.5英寸聚酰亚胺/CoCr软盘,当写入电流为4mA时,读出幅度对于500 kHZ频率为320～350 mV,对于1 MHz频率为300 mV。分辨力为85％～93％。     

铁电薄膜存储器底电极Pt/Ti的制备及性能研究

应用射频磁控溅射方法 ,在Si基片上采用不同的溅射工艺制备了铁电薄膜底电极Pt/Ti,并分析了在不同温度下退火后材料的电导率性能和粘结力性能 ,从理论和实验上分析了不同的溅射工艺和退火处理对底电极性能的影响。     

RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。     

交换耦合双层膜NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO／NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响．用振动样品磁强计（VSM）分析了膜的磁特性,结果表明：基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m^－1,小于室温淀积NiFe膜的H_c（584A·m^－1）,且磁滞回线的矩形度更好．室温下淀积NiO（50nm）／NiFe（15nm）双层膜的Hc为4000A·m^－1,交换耦会场（H_EX）仅为1600A·m^－1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m^－1,H_EX却增大为4640A·m^－1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度T_B高达230℃．X射线衍射（XRD）分析了膜的织构,结果表明：室温下淀积NiO膜呈现（220）织构,而260℃时淀积NiO膜呈现（111）织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈（111）织构,但后者晶粒比前者大．     

小波分析方法在磁光记录薄膜基本特性分析中的应用

利用小波分析方法取代传统的傅立叶方法对微弱的磁光记录薄膜信号进行分解、滤波和局部信号处理,大大提高了测量的灵敏度,更好地分析了磁光记录薄膜的基本特性。     

SmCo非晶垂直磁化膜的TEM研究

由轻稀土Sm和3d过渡族金属Co组成的SmCo非晶垂直磁化膜具有独特的磁、磁光和磁电性能,是制作高密度存贮器件和薄膜传感器的一种很有前途的材料。本文用透射电子显微镜(TEM)研究了用双源共蒸发法制备的SmCo非晶磁化膜的显微结构特征及其与成份、温度的依赖关系。讨论了非晶态SmCo磁化膜的形成过程及其结构对磁光特性的影响。实验结果表明:1.SmCo非晶磁化膜的典型结构是由直径约30A的高密度柱状区和一个低密度的网络组成的,如图1所示,图中右上角的电子衍射插图表明该结构是典型的非晶态。2.Sm_xCo_(100-x)(15相似文献   

TbCo／Cr非晶垂直磁化膜的磁特性

在 SPF-430H 溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶垂直磁化膜, 并就 Cr 底层对 TbCo 非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明,Cr 底层的存在能够增强 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加。分别采用 VTBH-1 型高感度振动样品磁强计和 MTL-1 磁转矩系统测量了 TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现,厚度为 120 nm,并带有 180 nm 厚度 Cr 底层的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达 51.2×104 A/m 和 0.457 J/cm3;没有带 Cr 底层的同样厚度的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有 35.2×104 A/m 和 0.324 J/cm3。Hitachi X-650 型扫描电镜的观测结果表明,带有 Cr 底层的TbCo 薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。     

非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性

非晶稀土(RE)-过渡金属(TM)膜的一个共同特征是具有单轴各向异性,这个单轴各向异性的强度和取向,主要取决于非晶膜的成分、基片温度和膜的制造方法。非晶Sm_(25)Co_(75)溅射膜在控制溅射条件下可获得大的垂直各向异性。非晶膜的磁各向异性的起源可以有若干个机构,主要有磁各向异性微结构和原子对有序(短程有序)机构等。本文具体讨论了非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性的来源可能有三个方面:(1)柱状微结构的形状各向异性;(2)负偏压的作用导致原子对有序和柱状微结构的细化;(3)垂直静磁场感生的垂直单轴各向异性。     

光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法

采用FFT方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦,得到各单层薄膜在耦合状态下的特性,并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能。