1种锂离子电池生产废水处理工艺效果研究

针对锂离子电池生产废水的特点,采用"混凝沉淀+缺氧+MBR+消毒"的工艺进行处理。实际运行效果表明,出水COD为20 mg/L,NH3-N、SS、TP的质量浓度分别为3、2.6、0.03 mg/L,达到GB/T 18920-2002中的水质指标。该工艺处理效果优良,系统运行稳定,耐冲击负荷,运行费用较低,按处理规模274 m3/d计,运行成本为1.12元/m3。     

合成金刚石的某些方法评介

首先扼要阐述了与金刚石薄膜制备技术有关的等离子体特性,随后着重介绍了金刚石薄膜制备技术的最新进展。根据沉积工艺参数和装置的结构评价了各种技术的优缺点。最后指出了目前这些技术中存在的问题。     

双离子束溅射沉积二氧化硅薄膜

利用双离子束溅射沉积技术,在锗、硅、K9玻璃、不锈钢基底上沉积了二氧化硅薄膜。考察了不同束辐照条件下二氧化硅薄膜的电阻率、折的率、红外吸收谱和显微组织结构。     

离子束辅助沉积薄膜结构的计算机模拟

利用蒙特卡罗法.分析了薄膜柱状结构的成因。通过不同工况薄膜生长的计算机模拟,证明了阴影效应和沉积原子有限迁移是导致柱状结构的原因。采用离子束辅助沉积工艺,可使膜层聚集密度明显提高.柱状结构完全消失。     

MgO载体化学气相沉积法制备碳纳米管的影响因素

用MgO载体化学气相沉积(CVD)技术制备了碳纳米管(CNTs).并用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和微区拉曼光谱仪研究分析了各种沉积条件下CNTs的形貌结构.对CVD法制备CNTs的主要影响因素如碳源气体种类、沉积温度和Fe催化颗粒在MgO载体中的百分含量进行了分析讨论.     

低压化学气相沉积法制备单壁碳纳米管

采用低压化学气相沉积(CVD)技术在MgO载体中的Fe、Co等纳米催化颗粒上制备碳纳米管(CNTs)，用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及喇曼光谱仪(Raman)对生长的CNTs结构特性进行了分析研究，结果表明制备的样品中虽含多壁碳纳米管，但单壁碳纳米管(SWNTs)居多，直径约为0．6～2nm．分布均匀，且既包含金属型管，也包含半导体型管。低压MgO载体CVD制备技术，大大增加了等量Fe、Co等催化反应颗粒的比表面积和反应活性，制备的单壁管产额大、成本低、CNTs更易于提纯。     

丙烯酸酯／碳纳米管复合材料的制备及导电特性研究

利用载体化学气相沉积技术制备的碳纳米管,制备了丙烯酸酯/碳纳米管复合材料,研究了它的导电特性,给出了不同温度对复合材料导电特性的影响规律。     

He~+辐照对非晶碳氢薄膜表面硬度的影响

在室温下,利用等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)在硅衬底上制备了非晶碳氢薄膜。采用100keV,剂量分别为1.0×1015、5.0×1015、5.0×1016和1.0×1017ions/cm2的He离子(He+)对非晶碳氢薄膜进行辐照实验。通过基于原子力显微镜(AFM)的纳米压痕和纳米划痕技术,对He+辐照前后碳氢薄膜的表面硬度进行分析。结果表明,经He+辐照后碳氢薄膜的表面硬度明显增加,并且随着He+辐照剂量增加,碳氢薄膜的表面硬度呈逐渐增加的趋势。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和拉曼光谱分析表明,He+辐照会导致碳氢薄膜中sp2C键含量明显增加,而sp3C键及H原子的含量明显降低,这可能是引起碳氢薄膜硬度变化的主要原因。     

纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究

用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜(SEM)和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件,分析研究了这些器件的I-V特性,并对I-V特性变化规律进行了分析讨论。