基于多层石墨烯-黑磷结构可调谐各向异性吸收器

基于阻抗匹配理论(IMT)和多层局域表面等离子体共振(LSPR)耦合效应,设计了一种多层石墨烯-黑磷可调谐各向异性吸收器。通过采用时域有限差分法(FDTD)进行模拟仿真计算分析发现,TE偏振下,吸收器在波长20.8~45.34μm范围内可实现94%的宽带平均吸收;TM偏振下,在波长16.6~44.6μm范围内可以实现96.3%的宽带平均吸收,呈现出一定程度的各向异性吸收特性。此外,通过调整石墨烯-黑磷块的宽度,可以调节吸收带宽。同时,动态调节石墨烯的费米能级或黑磷的电子掺杂浓度也能够调节吸收带宽和平均吸收率。该研究成果对动态可调谐红外能量采集、偏振选择性吸收和红外伪装领域具有理论指导意义。     

同步串行通信接口的误码原因分析

在路由器与 X.25、Frame relay、DDN等网络的互联中,经常使用到同步串行通信接口,路由器通过其同步串行通信接口和通信子网的 DSU/CSU 设备连接,通过DSU/CSU设备实现路由器与通信网之间的数据透明传输。CISCO路由器的 Serial接口支持同步和异步两种串行通信方式,支持EIA/TIA     

纳米β-Ga2O3在不同氧环境的表面形貌研究

纳米材料由于其量子尺寸效应和不同的表面形貌,具有多种独特的性能,β-Ga2O3也因为较大的禁带宽度和优秀的化学物理性质而作为下一代半导体候选材料.为解决β-Ga2O3纳米材料的表面形貌控制问题,用CVD合成制备氧化镓纳米结构,在硅衬底上用氧化镓粉末作为前驱体,分别将不同氧气流量输入管道内,形成了不同形貌的纳米结构.利用...     

基于ZnO/Al2O3缓冲层制备耐高温SAW器件电极

为了声表面波(SAW)器件能在高温环境(不小于1 000 ℃)中工作,该文设计并在La3Ga5SiO14压电衬底上制作Pt/ZnO/Al2O3多层复合薄膜电极,利用ZnO/Al2O3组合缓冲层增强了Pt薄膜电极在极端高温条件下的导电稳定性。制备的SAW器件在经历3次1 000 ℃高温热处理后仍保持稳定的回波损耗系数S11。实验结果表明,ZnO/Al2O3组合缓冲层结构在提高SAW器件电极高温导电稳定性方面具有一定的潜在应用价值。     

一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5 μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32) V,在－35 ℃~125 ℃温度范围内的温漂系数为1.39×10－6/℃;当工作电压为1.8~4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mV/V;3 V供电下的功耗为14.69 μW;满足胎压监测芯片的设计要求。     

一种高增益的宽带低噪声放大器的设计

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0～4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0～4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。     

基于CORDIC算法的微小卫星发射机设计与实现

CORDIC算法具有频率精度高、转换时间短、频谱纯度高一级频率相位移编程的特点,在数字通信领域得到了越来越广泛的应用,它可以处理信号,实现制导控制,能够有效兼顾速度、精度以及资源。CORDIC算法在微小卫星发射机设计中得到了非常好的应用,为实现微小卫星发射机在无线电领域的重要作用奠定了坚实的基础。本文主要从CORDIC算法出发,讨论微小卫星发射机设计与实现。     

GaAs基单片集成InGaP／AIGaAs／InGaAs增强／耗尽型PHEMTs

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.     

紫外激光改性氧化钒薄膜

氧化钒薄膜制备后需要进行退火处理以降低非晶态氧化钒薄膜的方阻大小并改善薄膜结晶特性。传统退火方式时间较长且退火过程会导致器件性能降低。本文主要利用激光精确控制的特点处理氧化钒薄膜,通过平顶光路系统改变激光功率、高斯光斑形貌以及光斑的重叠率对氧化钒薄膜进行退火处理,主要研究了激光能量密度以及光斑重叠率对氧化钒薄膜的方阻,表面粗糙度以及结晶度的影响。实验结果表明激光功率为0.7 W,光斑重叠率为93.33%,光斑能量密度为62.2 mJ/cm2时,退火氧化钒薄膜的方阻值明显降低,薄膜表面光滑且氧化钒结晶度较好。     

VXIbus四通道计数器模块仪器设计与分析

文中以ＶＸＩｂｕｓＣ尺寸四通道通用计数器模块的硬件和软件的设计为例，介绍了ＶＸＩｂｕｓ模块仪器的设计方法。并对一些相关技术进行了分析。