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应用射频溅射法制备SnO_2膜。对SnO_2膜进行了AES、ESCA理化学分析,结果表明:SnO_2膜的成分完全由SnO_2所组成,膜中并没有分离的Sn的成分。同时也对SnO_2膜进行了气敏特性测试分析,结果表明:SnO_2和Pd/SnO_2膜对CH_4、CO、H_2、NO_2、H_2S等气体均有明显的敏感特性,当SnO_2膜表面掺入几十(?)P_d后,对上述气体的敏感性有所增加,工作温度可降低到150℃左右,选择性也有不同程度的改善。 相似文献
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Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 总被引:1,自引:0,他引:1
We successfully used the metal mediated-wafer bonding technique in transferring the as-grown cubic GaN LED structure of Si substrate. The absorbing GaAs substrate was removed by using the chemical solutions of NH4OH : H2O2=1 : 10. SEM and PL resuls show that wafer bonding technique could transfer the cubic GaN epilayers uniformly to Si without affecting the physical and optical properties of epilayers. XRD result shows that there appeared new peaks related to AgGa2 and Ni4N diffraction, indicating that the metals used as adhesive and protective layers interacted with the p-GaN layer during the long annealing process. It is just the reaction that ensures the reliability of the integration of GaN with metal and minor contact resistance on the interface. 相似文献
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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:3,自引:0,他引:3
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30° 相似文献
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对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4. 相似文献
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平面型SnO_2微型传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
所研制的平面型SnO_2微型传感器是用射频溅射制备超微粒SnO_2膜,和常规的硅平面工艺制作加热器和温度检测器,二者相容集成而制作的气敏器件。用AES、ESCA对SnO_2膜进行了分析,结果表明膜中并没有分离的Sn的成分。利用SnO_2膜接触不同气体表面电导会发生变化的特点,对器件进行了气敏特性测试分析。结果表明:SnO_2膜和Pd/SnO_2膜在200℃~300℃工作温度下对CH_4、CO、H_2、NO_2和H_2S等气体均有明显的敏感特性。当SnO_2膜表面掺入几十埃的Pd后,对上述气体 相似文献
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