结电容对光伏器件I-V特性测试的影响

I-V特性是表征光伏器件性能的重要指标,在用电压扫描方式对一些器件进行I-V测试时,会出现零偏压电流为正向电流的现象,本文通过分析结电容对光伏器件电流电压测试的影响,对这种现象进行了解释,根据对由IOOMΩ电阻和50pF电容搭建的并联电路进行的测量,得到测试系统电压变化速率为2.14V/s,从而推算出光伏器件结电容的大小近似为0.47pF.用电路仿真软件PSpice对该测试电路进行了仿真,得到的仿真结果与实验结果相符.     

HgCdTe光伏探测器抑制背景通量的研究

对于长线列焦平面器件，简单的单孔冷屏往往不能有效地抑制背景，本文在Hg1-xCdxTe光伏探测器背面镀制微孔冷屏的办法来降低背景。测试结果表明，探测器镀制微孔冷屏之后，可以使背景辐射通量大幅度减少，同时减少了光串音。从而证明微孔冷屏的确可以有效地抑制背景通量，减少光敏元响应面积扩大的问题，对于红外焦平面器件的性能提高有帮助。     

应对第三代红外焦平面技术挑战的HgCdTe分子束外延

叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺陷成核机制进行了分析讨论,获得的75mm HgCdTe材料平均表面缺陷密度低于300cm-2.研究发现As的表面黏附系数很低,对生长温度十分敏感,在170℃下约为1×10-4.计算表明,As在HgCdTe中的激活能为19.5meV,且随(Na∑Nd)1/3的增大呈线性下降关系,反比系数为3.1×10-5meV·cm.实验发现Hg饱和蒸汽压下,对应不同的温度240,380,440℃,As在HgCdTe中的扩散系数分别为(1.0±0.9)×10-16,(8±3)×10-15,(1.5±0.9)×10-13cm2/s.采用分子束外延生长的HgCdTe材料已用于红外焦平面探测器件的研制,文中报道了一些初步结果.     

HgCdTe光伏探测器抑制背景通量的研究

对于长线列焦平面器件，简单的单孔冷屏往往不能有效地抑制背景，本文在Hg1-xCdxTe光伏探测器背面镀制微孔冷屏的办法来降低背景。测试结果表明，探测器镀制微孔冷屏之后，可以使背景辐射通量大幅度减少，同时减少了光串音。从而证明微孔冷屏的确可以有效地抑制背景通量，减少光敏元响应面积扩大的问题，对于红外焦平面器件的性能提高有帮助。     

硅基HgCdTe面阵焦平面器件结构热应力分析

红外焦平面器件是一个多层结构,包含外延衬底、HgCdTe芯片、Si读出电路、互连In柱、粘结胶以及引线基板等,由于各层材料之间的热膨胀系数不同导致焦平面器件在工作中承受很大的热应力,热应力是导致红外焦平面器件失效的重要因素之一。本文运用一维模型以及有限元分析方法对硅基HgCdTe320×240焦平面器件结构进行热应力分析,结果表明,改变Si衬底厚度、粘结胶的杨氏模量以及基板的热膨胀系数,都会不同程度地影响HgCdTe薄膜上的受力,其中基板的热膨胀系数对HgCdTe薄膜所受的应力影响最大。通过选用合适的基板可以有效降低HgCdTe薄膜所受的应力,从而降低器件失效率。     

HgCdTe表面钝化新方法

ＨｇＣｄＴｅ表面钝化新方法龚海梅，李言谨，方家熊（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文首次提出了脉冲式阳极氧化生长ＨｇＣｄＴｅ表面钝化膜的方法，自行设计研制成功一种新颖的脉冲式阳极氧化装置，获得了优于传统恒流方式生长的ＨｇＣｄＴｅ阳极氧化膜界面，...     

基于复合磁电材料的新型磁传感器高CMRR前端放大器设计

由于弛豫铁电材料磁电传感器是微弱的高阻抗信号源,很容易给系统引入50Hz的强干扰信号,基于这一特点,设计了一款高共模抑制比(CMRR)的前端放大器集成电路。电路采用了适用于低电压工作的高输出阻抗CMOS电流镜结构以保证电路中电流镜的大输出摆幅和高输出阻抗;采用电流反馈放大器结构以获得高CMRR。仿真研究表明,该电路基本满足设计要求,性能优良。     

测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法

根据少子衰退的加速度分布,提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法．实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度．     

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

用Ａｒ^＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到元素Ｚｎ、Ｓ的沉积．     

HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应

通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响.发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构,而这种镶嵌结构可通过合理的热处理工艺消除.