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降解黄曲霉毒素微生物筛选中降解与吸附结合作用的区分 总被引:3,自引:1,他引:3
黄曲霉毒素的污染不仅带来巨大的经济损失,而且严重危害人和动物的健康,因而生物降解真菌毒素一直引人关注。但在研究黄曲霉毒素微生物降解时,首先必须要有可靠的方法来判定毒素是被降解还是可逆的吸附结合。该文在黄曲霉毒素B1(AFB1)降解菌株筛选中,对区分降解与吸附结合作用的方法进行了研究,建立了可靠的分析方法,通过比较不同pH的影响,细胞灭活对AFB1去除的影响,分析菌株细胞水洗脱、有机溶剂萃取后AFB1的变化等方法,有效地排除了生物吸附结合以及pH的干扰,区分了降解作用和可逆的吸附作用,这些方法简单实用。据此,从动物粪便中成功筛选到了2株能高效降解AFB1的菌株F4、F7。 相似文献
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图形化蓝宝石衬底(PSS)技术是一种提高LED亮度的新技术。结合光刻和刻蚀工艺制作图形化蓝宝石衬底。有关图形化蓝宝石衬底的研究主要集中在对光刻和刻蚀工艺的研究,以及图形化蓝宝石衬底提高LED亮度的机理。目前微米级图形化蓝宝石衬底已经得到普遍的应用,与基于平坦蓝宝石衬底的LED相比,PSS-LED的发光功率提高了30%左右。图形化蓝宝石衬底技术的发展经历了从早期的条纹状图形到目前应用较广的半球形和锥形图形,从湿法刻蚀到干法刻蚀,从微米级到纳米级图形的演变。由于能够显著提高LED亮度,纳米级图形化蓝宝石必将得到广泛的运用。 相似文献
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基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。 相似文献