锌冶炼铅银渣还原焙烧挥发铅锌试验研究

研究了铅银渣还原焙烧挥发铅、锌,考察了升温制度、焙烧温度、焙烧时间、焦粉用量、添加剂用量等对铅锌挥发率的影响。结果表明:在1 200℃下恒温焙烧60 min,控制焦粉用量40%、添加剂氧化钙用量4%,铅、锌挥发率分别高达98.85%和97.6%,挥发效果较好。     

湿法炼锌制镉碱渣综合回收实践

采用高温高酸氧化浸出工艺对湿法炼锌粗镉生产过程产出的制镉碱渣进行处理。通过“电解液+锰粉氧化浸出”与“电解液直接浸出”制镉碱渣小试工艺试验对比,获得高温高酸氧化浸出的工艺参数为：浸出温度85~90 ℃、浸出时间8 h以上、液固质量比~4 g/g,锌、镉高温高酸氧化浸出率分别达到96.88%、95.35%。通过工业化实践,将某锌冶炼厂长期堆存的制镉碱渣有效处理,实现锌、镉等有价金属的回收,提高金属回收率,同时避免含隔渣长期堆存带来的环保风险,具有较好的经济和环境效益。     

凝胶法制备氮化钒的研究

考察凝胶法制备氮化钒时的氮化温度、氨气流量和氮化时间等因素对产品氮化率的影响。结果表明,氮化温度为750℃,氨气流量为80 m L/min,氮化时间为14 h时,产品氮化率达到95%,其晶粒大小平均在100 nm左右。     

铅银渣选冶联合资源化工艺试验

以湿法炼锌产出的铅银渣为研究对象,通过冶金-选矿联合工艺回收铅、锌、碳、银、铁等有价金属。结果表明,当焦粉还原剂配比为40%、石灰添加剂配比为4%、还原焙烧温度为1 200℃、反应时间为60 min时,铅、锌挥发直收率分别为98.85%和97.60%;改性焙烧渣经过碳粗选-碳精选、银粗选-银精选、铁磁选后获得碳精粉品位可达71.58%、银精矿品位可达548.10 g/t、铁精矿品位可达70.55%,碳、银、铁回收率分别可达95.29%、91.2%和40.71%。本工艺实现了铅银渣中铅、锌、铁、银以及无害化处理后尾渣中碳的资源化回收利用。     

球磨机衬板高锰钢性能改进

针对西北某铸造厂目前生产的高锰钢耐磨衬板在使用过程中容易破碎和变形的问题,通过对现生产的高锰钢成分与性能的分析,向高锰钢中添加一定量的合金添加剂,并改进热处理方式,使高猛钢耐磨衬板的硬度、耐磨性、抗冲击性能和寿命都有较大的提升,硬度提高10.7%,耐磨性提高62.7%,抗拉强度提高7.4%,屈服强度提高8.13%。     

石煤微波浸出提钒工艺研究

考查浸出时间、硫酸浓度、液固比及微波功率等因素对石煤中钒浸出率的影响。研究表明,当浸出时间为60min、硫酸质量浓度为13%、液固比为2∶1、微波功率为800 W时,钒浸出率可达83.2%。     

从碲化铜渣中回收碲试验研究

研究了采用氧化碱浸—中和沉淀—溶解还原工艺从碲铜渣中回收碲,考察了氧化碱浸过程中氢氧化钠质量浓度、氯酸钠质量浓度、浸出时间、液固体积质量比、温度对碲浸出率的影响。结果表明：在氢氧化钠质量浓度80 g/L、氯酸钠质量浓度60 g/L、浸出时间90 min、液固体积质量比5/1、温度80℃条件下,碲浸出率在85%以上;浸出液经中和沉淀、沉淀物溶解还原分别获得符合行业标准YS/T 1194—2017牌号TeO₂99.5的二氧化碲和YS/T 222—2010牌号Te99.99的精碲。     

基于拉曼光谱的面团冻结过程中水分分布的在线监测

采用便携式拉曼光谱仪结合低场核磁研究了面团冻结过程中水分分布的变化规律,并采用联合区间最小二乘法(Si-PLS)建立了水分分布的定量光谱分析模型。研究发现,在冻结过程中,面团的水分迁移主要发生在15～25 min之间,主要表现为深层结合水的大幅上升和弱结合水的大幅下降。Si-PLS建模结果显示水分分布变化的主要光谱区域为454.5～609.0、1 035.9～1 247.8、1 628.6～1 804. 8、2 450.2～2 593.0、2701.9～2 789.1和3 042.9～3 121.8 cm~(-1)。深层结合水、弱结合水和自由水预测模型的相关系数分别为0.881 9、0. 827 3和0. 899 3,均方根误差分别为0.14%、0.17%和0. 002 5%,拉曼光谱结合Si-PLS法建立的模型具有较好的预测能力,可以实现面团冻结过程中水分分布的在线监测。     

用钼精矿制备钼酸铵试验研究

研究了以索尔库都克铜钼矿为原料,采用焙烧—碱浸—净化—酸沉工艺制备钼酸铵。试验结果表明:钼精矿在630～650℃下焙烧4h,然后用碳酸钠溶液浸出,在碳酸钠用量50g、温度80℃、液固体积质量比3/1、浸出时间90min条件下,钼浸出率达96.75%;浸出液经净化、酸沉获得钼酸铵,整个过程中,钼损失率仅1.47%,回收效果较好。     

PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。