掺杂锆钛酸铅与钛酸铅系压电陶瓷的正电子湮没研究

测量了不同掺杂改性的 PbZrO_3-PbTiO_3和 PbTiO_3系压电陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子捕获理论对实验所得寿命谱参数与陶瓷微观结构缺陷的关系作了讨论。结果表明,长寿命成分τ_2(约300ps)相当于PZT或PT陶瓷中Pb空位缺陷对正电子的捕获。由缺陷对正电子的捕获率x随 PT中掺La~(3+)量增加而增大的现象,证实了La~(3+)占据ABO_3钙钛矿结构中的A位并产生Pb空位,而正电子可作为探测这种Pb空位浓度的一种手段。由PZT中x值与掺Bi~(3+)量的关系来推断,当 Bi~(3+)离子在较少掺杂量下主要进入A位,而在较大掺杂量下开始占据B 位产生氧空位。实验表明,正电子湮没技术是一种研究掺杂改性陶瓷微观结构缺陷变化的有力手段。     

铅系多层陶瓷电容器（MLCCs）三层镀失效机理的研究

从电化学的角度，解释了铅系多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣｓ）三层镀后低压失效的机理。通过ＳＥＭ、ＥＤＳ等分析手段，分析了三层镀过程中氢的析出对铅基陶瓷的还原作用。实验结果表明，电镀过程中析出的活性很高的氢原子能够很容易地穿透疏松结构的银端电极，并对陶瓷基体产生还原作用，导致陶瓷材料中出现金属态的铅，从而使陶瓷材料中参与导电的电子数目增多，降低陶瓷材料的绝缘性能，引起低压失效。