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1.
东滩矿3煤顶板突水的影响因素   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了保证生产安全,分析了东滩矿3煤顶板发生的突水事故,并与大量地质钻孔资料(钻孔的岩性、冲洗液消耗量等)及水文地质资料进行对比,从而得出:构造、冒落带内岩性、含水层水文地质参数和发育高度、汇水条件以及矿山压力的影响等因素是东滩矿开采3煤顶板突水的主要影响因素.在现有水文地质资料缺乏的情况下,可以利用钻孔资料,如冲洗液消耗量在平面的分布等来估计、判断含水层的富水性或圈定3煤顶板含水层的富水区,最后提出了防治水的措施.  相似文献   
2.
杨国勇 《安徽建筑》2010,17(3):122-123
介绍建筑钢结构的特点和事故处理的重要性,提出了事故处理的必备条件和基本要求,就钢结构事故处理的一般工作程序进行了概括,进行了简明扼要的探讨和分析。  相似文献   
3.
以深圳市深科技城一期BC塔楼之间钢连廊的顶升施工为依托,针对钢连廊跨度大、重量重以及需要使用千斤顶同步顶升等施工特点,简要阐述顶升钢连廊的施工作业环境,并对使用千斤顶同步顶升钢连廊的相关施工过程进行详细的介绍。  相似文献   
4.
给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(<3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退化过程中存在着两种陷阱.更进一步的研究发现,直接隧穿应力下超薄栅氧化层(<3nm)中的界面/氧化层陷阱的密度以及俘获截面小于FN 应力下厚氧化层(>4nm)中界面/氧化层陷阱的密度和俘获截面,同时发现超薄氧化层中氧化层陷阱的矩心更靠近阳极界面.  相似文献   
5.
薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。  相似文献   
6.
7.
矿井涌水量预测方法的发展   总被引:12,自引:0,他引:12  
对矿井涌水量的多种预测及计算方法进行分析和总结,将各种方法的应用范围与限制进行综合分析,探讨各方法的改进,进行实用性的评价;确定性数学模型法和不确定性方法相结合的方法将是矿井涌水量预测计算的主要发展方向;提出与一些发展迅速的新技术相结合进行矿井涌水量预测的可能性。  相似文献   
8.
突水断层水量预测的数值模拟   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于对断层形态、产状要素、力学性质及断层导水性质的认识,分析了断层突水通道形成的影响因素,认为在水压与多次应力的作用下,裂隙的导水性变化与时间存在指数关系;给出了突水量预测的变参数渗流模型,并对赵各庄矿9水平东翼石门突水事故的突水量进行了模拟.计算结果表明:与一般渗流模型相比,变参数渗流模型能够模拟出突水量的变化过程,用于描述滞后突水或涌水具有合理性,更适合于分析突水水源、突水通道及突水量之间的变化关系.  相似文献   
9.
通过室内模拟实验建立了交流电流密度与破损面积、土壤电阻率、交流干扰电压以及防腐层电阻率之间的数学模型,从而间接获取交流电流密度,并研究了交流电流密度对腐蚀速率的影响。通过CDEGS软件模拟仿真,得到了并行长度、电流等级、距离、土壤电阻率等参数对交流干扰沿管道分布的作用。结果表明,破损面积、交流干扰电压、土壤电阻率、防腐层电阻率对交流杂散电流密度具有显著的影响。电流密度小于3 mA/cm2时,交流电流腐蚀危害性很小;在3~10 mA/cm2时,腐蚀危害性较大;大于10 mA/cm2时,交流腐蚀危害性很大。  相似文献   
10.
杨国勇 《山西建筑》2010,36(10):211-212
在研究国内工程项目质量管理存在问题的基础上,从质量控制角度出发,对如何提高项目施工质量进行了初步的分析,提出了相应的防治措施,以强化施工项目全过程的质量控制。  相似文献   
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