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以3,3′,4,4′-联苯四酸二酐(sBPDA)和2,2′-二甲基-4,4′-二氨基联苯胺(DMBZ)为聚合单体,八(氨基苯基)聚倍半硅氧烷(OAPS)为交联剂,SiO2纳米粒子为填料,采用超临界二氧化碳干燥工艺制备了一系列聚酰亚胺(PI)/SiO2纳米复合气凝胶(CPIA-SiO2-0~CPIA-SiO2-7)。研究表明:SiO2纳米粒子的引入对PI气凝胶的耐热性能未产生显著的影响。然而,随着SiO2纳米粒子含量的增加,PI气凝胶的孔隙率从89.6%逐渐降低至79.4%,BET表面积也随之从425.5m2/g降低至380.2m2/g,纳米泡孔孔径分布呈现出变宽的趋势。SiO2的引入显著提高了PI气凝胶的抗原子氧侵蚀能力,含量为7%(质量分数,下同)的PI/SiO2复合气凝胶CPIA-SiO2-7的原子氧侵蚀率(2.6%)仅为不含SiO2气凝胶CPIA-SiO2-0的原子氧侵蚀率(12.3%)的1/5左右。 相似文献
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近年来,我国集成电路产业发展迅猛,已成为国家经济发展的主要驱动力量之一。在构成集成电路产业的三大支柱(集成电路设计、集成电路制造和集成电路封装)之中,集成电路封装在推进我国集成电路产业快速发展过程中起到了重要的作用;多年来,我国集成电路封装的销售额在国家整个集成电路产业中一直占有70%的份额;从某种意义上讲, 相似文献
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正性光敏聚酰亚胺(p—PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。 相似文献
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