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实验表明,SiO_2/Si体系扩金以后,其MOS结构的C-V曲线,明显的向正压方向平行移动,显示了扩金引入的负电荷效应。变化的一般情况如图1所示。为了观察该效应随热处理条件的变化,进而取得对其作用机制的认识,我们在不同气氛(氮、氢、氯)不同温度和不同时间下,对金界面电荷的变化进行了实验考察。 一、实验 MOS电容器样品是由电阻率为9.1~13Ω·cm的直拉P型Si单晶制成的。位错密度不超过300/cm~2。垂直于<111>且向<110>偏3°切片。 相似文献
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采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴承向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响,发现(1)薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(Po2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11-34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍 相似文献
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In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0.16%);同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)处的强蓝紫光双峰. 相似文献
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