In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV)附近的蓝紫发光双峰.研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响.当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的c轴择优取向和较小的晶格失配(0.16%);同时在PL谱中观察到波长位于415nm(3.02eV)和433nm(2.86eV)处的强蓝紫光双峰.     

金在Si_2O/Si界面处负电荷效应的实验研究

实验表明,SiO_2/Si体系扩金以后,其MOS结构的C-V曲线,明显的向正压方向平行移动,显示了扩金引入的负电荷效应。变化的一般情况如图1所示。为了观察该效应随热处理条件的变化,进而取得对其作用机制的认识,我们在不同气氛(氮、氢、氯)不同温度和不同时间下,对金界面电荷的变化进行了实验考察。 一、实验 MOS电容器样品是由电阻率为9.1～13Ω·cm的直拉P型Si单晶制成的。位错密度不超过300/cm~2。垂直于<111>且向<110>偏3°切片。     

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

采用ＲＦ反应溅射法在Ｓｉ（１１１）、玻璃衬底上制备了具有良好Ｃ轴承向的多晶ＺｎＯ薄膜。用ＸＲＤ分析了沉积条件（衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影响,发现（１）薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过４００℃后薄膜质量开始变差;（２）工作气体中氧与氩气压比（Ｐｏ２／ＰＡｒ）为２：３时,薄膜取向性最好;（３）薄膜晶粒尺寸１１－３４ｎｍ,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品（００２）衍     

掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究

用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜,在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量,对复合膜的结构进行了探讨．     

CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。     

Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究

在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。     

In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响

通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有ｃ轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜．在室温下测量样品的光致发光（PL）光谱,观察到波长位于415nm（3.02eV）和430nm（2.88eV）附近的蓝紫发光双峰．研究了不同In掺杂量对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响．当In片面积为靶总面积的3%时,样品具有高度的ｃ轴择优取向和较小的晶格失配（0.16%）;同时在PL谱中观察到波长位于415nm（3.02eV）和433nm（2.86eV）处的强蓝紫光双峰．     

SiO_2/Si界面质量的特征性表示及与管芯成品率的关系

SiO_2/Si界面的一个重要特征是氧空位(或过剩硅离子)和离化施主型界面态这两类主要结构(化学)缺陷所产生的界面正电荷。鉴于金在界面处引入的负电荷对这些固有正电荷的有效补偿,就使得引入金以控制界面净电荷密度成为一个有价值的方法。