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1.
溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用
艾玉杰
薛成山
孙莉莉
孙传伟
庄惠照
王福学
杨昭柱
秦丽霞
《功能材料》
2007,38(2):193-194
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米棒的形貌,纳米棒的直径在200~600nm之间.我们对镁层的作用进行了简单探讨.
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