Ba0.32Co4Sb12-xTex的高压合成及其电学性质

在高温高压下合成方钴矿结构热电材料Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明:Ba填充Te置换型方钴矿Ba_(0.32)Co_4Sb_(12-x)Te_x为n型半导体;在不同压力下,随着Te填充分数的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高。在1.5 GPa、900 K条件下合成的Ba_(0.32)Co_4Sb_(11.9)Te_(0.1)化合物功率因子达到最大值(9.7μWcm~(-1)K~(-2))。     

共掺Na~＋（K~＋）/Er~（3＋）50SiO_2-30PbO-20PbF_2-0.8ErF_3玻璃陶瓷的上转换光谱性质

研究掺入少量的碱金属离子Na~＋、K~＋后,50SiO_2-30PbO-20PbF_2-0.8ErF_3玻璃及玻璃陶瓷的热稳定性质和光谱性质。应用Judd-OfeIt理论和吸收光谱计算了Er~（3＋）离子的J-0参数Ω_λ（λ=2、4、6）。上转换光谱分析表明：在520、545和650 nm处有较强的绿光和红光发射,在...