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目前在LED应用领域,高色温、低显指等问题对白光LED(WLED)的实际应用存在限制,制备一种能够有效发出红光的发光材料,对促进WLED的发展具有重大意义。本文采用高温固相法制备了一系列Na5Y1-x(MoO4)4∶xEu3+(x=0.1～0.9)荧光粉,利用X射线粉末衍射仪对样品的物相结构进行研究,XRD测试结果表明,Na5Y(MoO4)4∶Eu3+样品的衍射图与纯相Na5Y(MoO4)4完全一致,说明Eu3+掺杂对Na5Y(MoO4)4的晶体结构未产生显著改变。使用荧光粉激发光谱与热猝灭分析系统对样品的发光性能进行了表征,结果显示,Na5Y1-x(MoO4)4<... 相似文献
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研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。 相似文献
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