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利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。 相似文献
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一种新型的红外探测器材料——碲锌镉汞 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了国外在新型红外探测器材料HgCdZnTe的基本性质、材料生长和性能以及光电探测器研制和性能方面的研究现状和发展前景,突出说明了HgCdZnTe相对于HgCdTe在结构性能尤其是稳定性方面的优势。从国外众多理论研究和实验结果来看,HgCdZnTe是一种具有很大应用潜力和研究价值的新型红外探测器材料,尤其。是在室温或近室温红外探测方面有着重要的应用前景。 相似文献
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Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能. 相似文献
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将三种元素一次合成,然后用布氏法长晶工艺生长CdZnFe单晶.得到x=0~0.15的若干晶体,全单晶直径为15~17mm,长度大于40mm,晶体结构致密,单个晶粒的自然介理面尺寸为13×20mm~2,光滑如镜,晶体外观无气泡。用“321”晶界腐蚀剂显示没有发现明显的孪晶线。扫描电镜观察未发现Te的沉积相及金属夹杂相。用X射线粉末法测量了 相似文献