BF_2~+注入Si的快速退火

利用高频感应的石墨加热器对注BF_2~+的硅片进行快速退火能获得比常规退火更浅的结。对这两种退火所引起的B和F的扩散进行了比较。实验观察到F原子分布的双峰,是注入层再结晶时F原子的外扩散所致。     

硅中注砷的连续CO_2激光退火的研究

利用高功率连续CO_2激光定点辐照,对砷离子注入的硅片进行退火。实验结果表明晶格损伤得到了完全恢复,注入砷原子的替位率与电激活率高,还克服了激光聚焦扫描退火时引起硅片表面变形的问题。     

低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度

用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV.     

硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究

将１×１０１７／ｃｍ２的氦离子以３５ｋｅＶ的能量注入到单晶硅中，在硅表层下面形成纳米空腔。将１×１０１７／ｃｍ２的氧离子注入到空腔层的下方。用ＲＢＳ／Ｃ、ＳＲＰ及ＸＴＥＭ等测试手段对样品进行研究。结果表明，纳米空腔对氧有强烈的吸附作用，１００００Ｃ退火后氧从原注入位置释放，并被空腔俘获，形成含纳米孔的氧化埋层。氧与空腔的互作用抑制了纳米空腔的迁移、聚合。利用这一现象有望制备出纳米氧化埋层ＳＩＭＯＸ材料。     

Experimental studies of N~+ implantation into CVD diamond thin films

The effects of N+ implantation under various conditions on CVD diamond films were analyzed with Raman spectroscopy, four-point probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backseattering spectroscopy (RBS), ultraviolet photoluminescence spectroscopy (UV-PL), Fourier transformation infrared absorption spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the N+ implantation doping without any graphitization has been successfully realized when 100 keV N+ ions at a dosage of 2 × 1016 cm-2 were implanted into diamond films at 550℃ . UV-PL spectra indicate that the implanted N+ ions formed an electrically inactive deep-level impurity in diamond films. So the sheet resistance of the sample after N+ implantation changed little. Carbon nitride containing C≡N covalent bond has been successfully synthesized by 100 keV, 1.2×1018 N/cm2 N+ implantation into diamond films. Most of the implanted N+ ions formed C≡N covalent bonds with C atoms. The others were free state nitroge     

基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究

我们利用压阻检测法对双端固支硅纳米梁的谐振特性进行了研究.在(111)硅衬底上,用KOH选择性腐蚀制作出了厚度约为242 nm的双端固支硅纳米梁;对梁上表面采用Ar离子进行局部轰击,受轰击侧的原子结构遭到破坏,电导率显著下降,未受轰击侧原子结构则保持原掺杂结构,在梁厚度方向形成非对称掺杂,表现出压阻特性.利用该局部压阻,我们首次完成了对双端固支硅纳米梁的谐振特性的测量,其共振频率为400 kHz;同时,我们对获得的低Q值进行了初步讨论.     

低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。     

低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度

用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke V     

高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤

SIMOX/SOI样品在1000～1200℃的高温H_2气氛中作不同时间(5—30分)的烘烤。结果,SOI结构受到了不同程度的损伤。测试结果表明,这种损伤包括:高温H_2使SOI结构顶层Si中缺陷的扩展,高温H_2使埋层SiO_2分解和分解后的O_2(或H_2O)在外释过程中造成表层单晶Si的损伤。高温H_2对SIMOX结构的这种损伤对SIMOX/SOI的外延是不利的。     

热解碳的氮离子注入处理及其血液相容性评价

主要报导了热解碳的氮离子注入处理、等离子体浸没离子注入及其血液相容性。用卢瑟福背散射、X射线衍射和喇曼光谱法分析样品的成份及结构。测试了注入前后热解碳样品的血小板粘附性能，经过注入处理的样品表面粘附较少的血小板，而且较少团簇及变形，优于临床应用的热解碳。蛋白质竞争吸附实验结果表明热解碳经PⅢ处理后，表面会吸附较多的白蛋白、较少的纤维蛋白原，具有更好的抗凝血性能。