热处理参数对TA15钛合金静态球化显微组织及动力学的影响

首先对TA15合金进行了变形量分别为60%,75%和90%的轧制,然后在800、850和930℃分别进行了15、30、45和60 min的热处理试验。利用OM、SEM和Image-pro Plus 5.0等手段研究了TA15合金在不同状态下的显微组织和静态球化行为。结果表明:静态球化过程中晶内针状次生α相断裂及球化行为比晶界α相更易于发生;TA15合金静态球化行为的发生对温度敏感,850℃获得球化比例可增加至95%,930℃球化率不变但晶粒长大明显,晶界清晰化。通过JMAK方程对TA15合金的静态球化动力学过程模拟,发现温度、时间对球化率的影响规律为随热处理温度和原始变形量的增加,球化率随热处理时间增加但上升趋势降低。     

M/HgI2接触特性分析

利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M/HgI2。采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒。采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M/HgI2的欧姆接触特性。结果表明,C/HgI2、AuCl3/HgI2和Au/HgI2的接触势垒均约为0.9eV;C/HgI2和AuCl3/HgI2具有良好的欧姆特性,Au/HgI2的欧姆特性相对较差。分析认为,HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒。但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3/HgI2和C/HgI2晶体表面质量,因而具有良好的欧姆接触特性。由于溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成Au/HgI2晶体表面质量下降,因此其欧姆接触特性较差。     

In/Al掺杂高电阻CdZnTe晶体载流子传输特性研究

To evaluate the charge transport properties of as-grown high resistivity CdZnTe crystals doped with In/Al, the α particle spectroscopic response was measured using an un-collimated 241Am （5.48 MeV） radioactive source at room temperature. The electron mobility lifetime products （μτ）e of the CdZnTe crystals were predicted by fitting plots of photo-peak position versus electrical field strength using the single carrier Hecht equation. A TOF technique was employed to evaluate the electron mobility for CdZnTe crystals. The mobility was obtained by fitting the electron drift velocities as a function of the electrical field strengths, where the drift velocities were achieved by analyzing the rise-time distributions of the voltage pulses formed by a preamplifier. A fabricated CdZnTe planar detector based on a low In concentration doped CdZnTe crystal with （μτ）e = 2.3 × 10？3 cm2/V and μe =1000 cm2/（V·s）, respectively, exhibits an excellent γ-ray spectral resolution of 6.4% （FWHM = 3.8 keV） for an un-collimated 241Am @ 59.54 keV isotope.     

p-CZT的钝化处理和C-V特性研究

采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层.用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1 MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试.对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度(∮)b.未钝化的(∮)b为1.393 V,钝化后(∮)b变为1.512 V.