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分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。 相似文献
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ATP检测在活性污泥工艺中的应用进展 总被引:3,自引:0,他引:3
在活性污泥工艺的运行控制中,传统的衡量污泥活性的指标不够准确,三磷酸腺苷(ATP)日益成为反映活性污泥微生物活性的新指标,阐述了ATP的部分物理化学性质及其检测技术的原理和方法,对ATP浓度与环境因子(如pH值、毒物或活性污泥浓度等)之间的关系进行了研究,同时,对ATP检测在活性泥泥中的应用所取得的成绩予以肯定,并对ATP检测在研究和应用中影响的因素进行了初步分析. 相似文献
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基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种W波段平衡式功率放大器。采用了由两个单级放大器和两个3 dB差分正交耦合器组成的全差分结构。采用变压器匹配网络,实现了良好的输入与输出匹配性能。利用三维电磁场仿真软件进行了电磁仿真。仿真结果表明,在90~100 GHz频段内,输入与输出的匹配良好,输入反射系数S11小于-17 dB,输出反射系数S22小于-14 dB。在94 GHz频率处,小信号增益为6.1 dB,输出1 dB压缩点功率为10.2 dBm。芯片尺寸为1.22 mm × 1.42 mm。该功率放大器适用于通信、雷达、成像等领域。 相似文献
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为了满足高增益天线大的移相度和可工作在太赫兹频段,设计了一种基于液晶的双偶极子反射移相单元结构。采用液晶的等效介电常数模型,在频率为335~345 GHz频段均产生360o以上的相移,在342 GHz实现最大相移390o。为了减小液晶不均匀性对相移产生的影响,建立了单元的精确模型,该模型在频率范围为330~338 GHz时均产生了250o以上的相移,在336 GHz实现最大相移285o。与均匀液晶等效介电常数模型相比,产生最大相移的频率点发生了变化,并且产生了最大为105o的移相差值,这在相控反射阵列天线的设计中是不可忽略的。 相似文献
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为解决环城林带存在地面裸露、林相单一、群落结构不合理、水中生物多样性不够、水质状况不佳、景观小品及相应的配套设施不够完善等问题,以宝山环城绿带100 m林带丰翔路绿地改造项目为例,分解了改造的内容,并对改造后的效果进行评估.总体而言改造后的景观和生态效果明显改善,其他拓展功能仍有改善的空间.该案例可为后续环城绿带100... 相似文献
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基于IBM8HP 120 nm SiGe BiCMOS工艺,分析了晶体管的最小噪声系数和最大可用增益特性。采用两级Cascode放大器级联结构,研制出一种频带为90~100 GHz的低噪声放大器(LNA)。详细分析了Cascode放大器潜在的自激可能性,采用串联小电阻的方式消除不稳定性。与电磁仿真软件Sonnet联合仿真,结果表明,在频带内,放大器的输入反射系数S11<-18 dB,输出反射系数S22<-12 dB;在94 GHz处,噪声系数为8 dB,增益为14.75 dB,输出1 dB压缩点功率为-7.9 dBm;在1.8 V供电电压下,整个电路的功耗为14.42 mW。该放大器具有低噪声、低功耗的特点。 相似文献
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针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段 MMIC功率放大器。采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程。仿真结果表明,在2~4 GHz工作频率范围内,输出功率大于38 dBm,功率附加效率为29%~48.8%,功率增益为19.0~20.4 dB,S11小于-7.7 dB,S22小于-9.2 dB。芯片尺寸为3 mm×1.7 mm。该功率放大器具有较高的实用价值。 相似文献
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采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90~100 GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号。采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1 dB,共模插入损耗为-7.4 dB,隔离度大于-22 dB,输入反射系数S11<-12 dB,输出反射系数S22<-10 dB。芯片尺寸为570 μm×140 μm。 相似文献