基于STM32的音频信号分析设计与实现

基于ARM Cortex-M3内核的32位处理器STM32F103和快速傅里叶变换(FFT)算法实现了音频信号频谱的分析。整个系统由前级信号调理、A/D采样电路、CPU运算电路和LCD显示电路等组成。实验表明,系统能够检测20 Hz¹0 kHz范围内的频率成份并显示音频信号频谱,该方案成本低,具有一定的应用价值。     

硅掺杂MOCVD氧化镓中的非故意掺杂效应:浅施主态（英文）

本文利用MOCVD外延生长了不同载流子浓度的高质量β-Ga₂O₃薄膜并通过变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)分析研究了薄膜中的浅施主态.通过拟合提取出薄膜中存在的两个电离能分别为～36和～140 meV的施主能级.进一步研究发现非故意掺杂(UID)效应对这两个能级都有影响:第一个施主能级不仅来源于硅掺杂也来源于非故意碳掺杂取代Ga位,第二个施主能级主要来源于与非故意掺杂氢相关的双电荷缺陷.通过分析生长条件与施主态之间的关系结合密度泛函理论计算我们发现在生长过程中降低氧分压可能有助于降低UID效应.该工作为硅掺杂MOCVD β-Ga₂O₃薄膜载流子浓度的精确控制奠定了基础.