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Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V,击穿场强分别为128MV/m和175MV/m,在50MV/m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5/cm2和3.7×10-5A/cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。 相似文献
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采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄膜在550~700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差. 相似文献
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非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构。成功制备了一批ZnS:Mn器件,其下介质层为厚100-200nm的SrTiO3(ST)或Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)或Ta2O5薄膜,上介质层为厚600~1100nm的Ta2O5或ST/Ta2O5或HfO2/Ta2O5/Al2O3薄膜。发现以ST/Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L—V曲线,以HfO2/Ta2O5/Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性。 相似文献
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