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采用固相合成工艺制备了(1–x)[0.82Bi0.5Na0.5TiO3–0.18Bi0.5K0.5TiO3]–xSb2O3(BNKT–xSb)压电陶瓷,研究了Sb2O3掺杂对BNKT陶瓷的显微结构和电学性能的影响规律。研究表明:Sb2O3掺杂量x小于0.020时,不改变基体的钙钛矿结构,且Sb具有可变化合价,能形成"施主"和"受主"2种掺杂而起到"软化"或"硬化"的作用。当Sb2O3掺杂量x≤0.005时,其压电系数d33随Sb2O3掺杂量的增加而增大,此时Sb2O3表现出了"软化"的特征;当Sb2O3掺杂量x〉0.005时,d33降低,从而又表现出了"硬化"的特性;当Sb2O3掺杂≥0.010时,诱使陶瓷室温下反铁电微畴的形成,导致铁电性和压电性的骤减。 相似文献
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用助熔剂法制备了准同型相界附近的弛豫铁电体基钛铌铟酸铅(Pb(In1/2Nb12)0.63Ti0.37O3,简称PINT)铁电单晶体,研究了四氧化三铅(Pb3O4)与二氟化铅(PbF2)助熔剂对钙钛矿结构相稳定性的不同作用。用四氧化三铅(Pb3O4)和三氧化二硼(B2O3)作为助熔剂获得尺寸达5mm的纯钙钛矿相结构PINT单晶体,利用显微分析方法、X射线衍射技术研究了单晶体的微观形貌和相结构,测量了〈100〉取向单晶体样品的介电温度谱。 相似文献
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采用溶液流延法制备了β相聚偏二氟乙烯(PVDF)铁电聚合物薄膜,研究了不同热处理条件和不同溶剂对薄膜晶相结构形成的影响.利用X射线衍射仪、傅立叶红外光谱仪(FTIR)对晶形结构进行了分析.结果表明,在合适的温度条件下,基片的热诱导作用有利于β晶相形成,而在较高温度下主要形成γ晶相,较低的温度将会抑制PVDF结晶;溶剂的溶度性能对薄膜的结晶能力和晶型的形成有很大影响,采用对PVDF溶解能力较强的溶剂DMSO所制备的薄膜中晶区内β晶型的含量高但其结晶能力差,而采用溶解能力较弱的DMAc溶剂虽然提高了薄膜的结晶度,却降低了β晶型的含量. 相似文献
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本文通过铌锌酸铅基复合钙钛矿结构铁电陶瓷的电畴观察、强场极化反转行为以及直流偏压下介电行为和X射线衍射峰等的详细测量,对铁电微畴、宏畴在外场诱导下的反转规律进行了分析,探讨了与铁电陶瓷介电行为相对应的微观极化机制。 相似文献