微氮硅单晶中新施主的形成特性

借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．     

陶瓷行业全球化之路

2008年是中国经济最困难的一年，在过去的一年里，无论是年初的雨雪冰灾，还是年中的地震灾害；无论是国内股市暴跌，房地产业低迷，还是国际油价大幅震荡，国际金融危机；无论是企业用工制度，汇率变化，出口退税等政策出台，还是国际盛会在中国举办，都对我国实体经济发展带来影响，对我国陶瓷工业的出口影响也不可避免。     

陶瓷行业全球化之路

2008年是中国经济最困难的一年，在过去的一年里，无论是年初的雨雪冰灾，还是年中的地震灾害；无论是国内股市暴跌，房地产业低迷，还是国际油价大幅震荡，国际金融危机；无论是企业用工制度，汇率变化，出口退税等政策出台，还是国际盛会在中国举办，都对我国实体经济发展带来影响，对我国陶瓷工业的出口影响也不可避免。     

线切割单晶硅表面损伤的研究

利用台阶仪、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。初步讨论了影响线切割硅片表面损伤的原因     

SOI结构制备工艺进展

绝缘体上生长的薄单晶硅膜（ＳＯＩ）具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度,在深亚微米ＶＬＳＩ技术中,具有很大的优势和潜力。本文简单地介绍了ＳＯＩ材料的结构特性和制备方法及当前发展状况,同时,也指出ＳＯＩ进一步实用化所需解决的问题及应用前景。     

SOI结构制备工艺进展

绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。本文简单地介绍了 SOI材料的结构特性和制备方法及当前发展状况 ,同时 ,也指出 SOI进一步实用化所需解决的问题及应用前景。     

反应蒸发沉积的纳米硅氧化硅薄膜的发光及其氧的存在形态

通过改变蒸发源、衬底温度和氧的流量 ,用反应蒸发法制备了不同晶粒尺寸的Si/SiOx 薄膜。用X射线衍射、X光电子能谱和红外光谱分别测试了薄膜的结构、组分及氧在薄膜中的存在形态。实验发现氧的存在形态与蒸发条件密切相关 :对以硅为蒸发源的样品 ,衬底温度较低时 ,以间隙氧形态存在。随着衬底温度的升高 ,SiOx 量逐渐增多 ,间隙氧逐渐减少 ,72 0℃以上产生SiO2 。氧流量的增加有利于间隙氧的生成和氧含量的增加 ;对以SiO为蒸发源的样品 ,衬底温度较低时 ,主要以间隙氧的形态存在 ,同时存在SiO2 和SiOx。随着衬底温度的升高 ,有利于SiOx 和SiO2 的增加。 80 0℃退火后 ,SiOx 增多 ,同时产生大量SiO2 白硅石。荧光光谱表明 :薄膜的发光跟氧的存在形态密切相关 ,其可能原因是纳米硅被大量宽禁带的SiO2 或SiOx基体包裹所产生的量子效应。     

硅晶片切割损伤层微观应力的研究

作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶片切割层的微观应力。     

中国陶瓷行业资源消耗与产业结构调整研究

本文主要研究中国陶瓷行业发展现状、资源消耗、产业结构及政策研究,本文对了解陶瓷行业的发展方向和趋势,制定和研究陶瓷行业相关政策具有指导意义。     

高温快速热处理对硅中热施主的影响

研究了不同气氛(N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过6 5 0℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2 气氛下高温RTP的样品,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在,经95 0℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散