碳在GaN中的形态

氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一．浅杂质（包括Ｐ型和ｎ型的）离子注入ＧａＮ是研究 ＧａＮ的主要课题之一．本文研究注碳（Ｃ） ＧａＮ经不同温度退火后的Ｒａｍａｎ和 Ｈａｌｌ效应,发现两个重要的实验事实：在适当的温度范围内,在注 Ｃ ＧａＮ中存在石墨微晶; ＧａＮ中分离的Ｃ是受主． 文中所用样品的制作过程是在（０００１）晶向的蓝宝石衬底上用金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术生长的１ｕｍ ＧａＮ外延层,外延层的自由电子浓度和霍尔迁移率分别为 １～５×１０１７ｃｍ－３和 ６０…     

C_(70)/GaAs异质结的电学性质

在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t)     

固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性

在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).     

Si／SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布

本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法［１］，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布．结果表明：界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度，空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态在Ｓｉ禁带下半部的是施主态，而在上半部的是受主态，用ＤＬＴＳ测量的界面态不呈Ｕ型分布，它与准静态Ｃ－Ｖ测量的结果完全不同．     

C70/GaAs异质结的电学性质

在高真空系统中,将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上,制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触,并对它们的电学性质作了研究．结果发现两种接触均为强整流结,在偏压为±1V时,C70/n-GaAs和C70/p-GaAs接触的整流比分别大于106和104,并且它们的理想因子都接近于1．当正向偏压固定时,它们的电流均是温度倒数的指数函数,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为0.784和0.531eV．用深能级瞬态谱（DLTS）在C70/GaAs界面上观察到电子陷阱E(0.640eV)和空穴陷阱H3(0.822eV),以及用电容-时间（C-t）技术在固体C70中观测到两种空穴陷阱H4（1.155eV）和H5（0.856eV）．E(0.640eV) 和 H3(0.822eV) 的密度均小于1012/cm2,可以得出结论：固体C70对GaAs表面具有很好的钝化作用．     

固体C_(70)/Si异质结的界面电子态

用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70 /Si界面远优于室温生长的     

固体C70/Si异质结的界面电子态

用深能级瞬态谱和高频电容-电压技术研究了固体C70/Si异质结的界面电子态.研究结果表明在C70/Si的界面上明显存在三个电子陷阱Eit1(0.194)、Eit2(0.262),Eit3(0.407)和一个空穴陷阱Hit1(0.471),以及在C70/Si界面附近存在着固体C70的电子和空穴陷阱引起的慢界面态.结果还表明C70膜的生长温度对C70/Si的电学性质有重大影响,200℃生长的C70/Si界面远优于室温生长的.     

恒温电容瞬态时间乘积谱

传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.