Pt／n—n＋-Si电极上化学沉积铁氰化镍薄膜及其应用

在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n＋一Si）结构上沉积约40nm铂（Pt）,经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极（Pt／n—n＋-Si）。将半导体电极和铁氰化钾、硫酸镍以及硝酸钠的溶液接触,沉积出稳定的铁氰化镍（NiHCF）薄膜。复合电极与Pt电极组成光电化学电池,在零偏电压条件下,通过测量该电池的光电流可检测过氧化氢。通过循环伏安和X-光电子能谱对NiHCF薄膜进行了分析与表征。     

多孔硅表面组装胆固醇分子印迹膜的光电化学

光电化学刻蚀出多孔硅（PS）用含有SnCl2、SbCl3和Ce（NO3）3的乙醇溶液浸泡后,经过400℃10min热处理,表面形成Ce—Sb共掺的SnO2光透导电薄层（TOCL）。在TOCL的表面组装含有胆固醇分子的十二烷基硫醇薄膜,萃取其中的胆固醇分子后形成筛孔分子印迹电极（SHE）。该电极与不同浓度的胆固醇乙醇溶液作用后,光电化学方法袁征了分子印迹电极对胆固醇浓度响应特性。实验结果表明分子印迹电极与吸附胆固醇的浓度具有较好的关联。特别指出的是,该筛孔分子印迹电极有望在不需要掺比电极以及零偏电压条件下实现对胆固醇的检测。