Bi_4Ge_3O_(12):TR(TR=Pr,Eu,Ce)晶体的吸收和发光光谱

测量了Bi_4Ge_3O_(12)(BGO):Pr、Eu和Ce的吸收、激发和发光光谱。掺杂BGO吸收和激发带相应于pr~(3+)、Eu~(3+)和Ce~(3+)离子特征跃迁。Xe灯中不同波长激发所得到掺杂BGO的发光光谱可通过Bi~(3+)心和掺杂材料之间能量传输过程加以解释。Bi~(3+)心400—600mm发射强度因受到Ce杂质影响变弱,这现象在高Ce浓度晶体里更为显著。     

Bridgman法生长的PWO晶体的发光特性和透光特性

本文采用改进的Bridgman法，以纯度不低于99．99％的PbO和WO3为原料，生长出无色透明的、大尺寸的PbWO4（PWO）晶体，研究了晶体沿生长方向不同部位的透射光谱及X射线激发的发射光谱特性．发现改进的Bridgman法生长的PWO晶体具有较好的发光均匀性和透光均匀性，其原因主要是改进的Bridgman法采用密封的坩埚，有效地抑制了组份（PbO和WO3）的挥发.     

添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3烧结及微波介电性能的影响

本工作就添加V2O5对Ba（Mg1／3Ta2／3）O3烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论．实验结果发现，添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性，当V2O5的添加量为0．1mol％时，烧结体密度可达理论密度的98％同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右．此时样品仍具有较高的微波介电性能：Q·f＝62450GHz；εγ＝25．     

PbF2晶体发光性能的研究历史和现状

本文阐述了ＰｂＦ２可用作闪烁晶体的许多优点，并对其发光性能的研究历史，特别是它在低温、相变和掺杂条件下的发光特征作了评述，报道了ＰｂＦ２晶体发光性的最新研究进展，明确了目前存在的问题及今后应注意的几个研究方向。     

BGO晶体的热释光效应及光损伤后晶体的恢复

本文介绍 BGO 晶体的热释光效应,BGO 大单晶光损伤后恢复的实验。BGO 晶体热释光曲线的次峰位温度约在200℃,光伤后的 BGO 大单晶一般通过200～250℃保温5～7h 的热处理就能使晶体完全恢复。     

光声效应在研究铁电陶瓷相变中的应用

本文报导了用光声技术研究铁电陶瓷 Pb(Zr,Ti,Sn)O_3(PSZT),透明 PLZT 以及 Li_(1-x)Na_xNbO_3(LNN)的相变,清楚地揭示了这些陶瓷所呈现的不同相变特性以及相变点随组分的变化,与某些常规研究方法相比较,显示了在相变点附近,光声信号的幅度和相位的变化非常灵敏。并用热力学解释了实验结果。     

低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究

本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符．     

钨酸铅晶体生长及其组份挥发

本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅（PWO）晶体;研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发,得到的结果是PbO的挥发速率高于WO₃,并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究．     

PLZT陶瓷的晶界现象

利用显微技术,研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片, 利用十字形电极, 观察在电场作用下, 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象,如： 晶界平滑区, 晶界区的电光性, “壳－芯”结构, 析出物在晶界区的沉积, 电畴在该区的成核和生长, 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区, 对上述现象起重要作用     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长ＰｂＷＯ４晶体经退火处理后,对Ｘ射线激发发射谱,透过谱以及抗辐照损伤能力的影响,指出ＰｂＷＯ４晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后,闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善。