互补推挽电路中的自举电容

半导体功率放大器的几种电路形式中,互补推挽电路很受广大无线电爱好者的欢迎。该电路的工作原理、特别是电路中自举电容的作用书刊上已有许多文章作过介绍。这些文章把自举电容的工作原理讲得很通俗直观,读后很受启发。但是有些流行说法为求通俗过于简单,引起一些疑问,使人感到对自举电容的原理似懂非懂,不能确实掌握。下面想谈一点肤浅认识,请大家批评指正。     

管状蒸发源辐射传热计算

前言蒸发源形式很多。管状蒸发源是将蒸发物料盛在管状坩埚内、坩埚外围以加热丝、加热丝外围以多层热屏而成。其截面如图1所示。这种蒸发源的特点是容量大,定向性好,热效率高,很     

倾斜蒸发的束流分布

Ruth和Hirth用自己的模型计算了束流分布,但该分布只限于在正入射条件下使用。Svensson和Andersson用R＆H模型计算了斜入射下的分布,因用的是近似方法,只能计算衬底表面中心线上的束流值,且不能满意解释实验结果。本文也采用R＆H模型,但不附加近似假定,直接计算斜入射下整个衬底而上的束流分布,获得较满意的结果。     

一种分子束源组件及其设计考虑

分子束外延技术和设备是半导体研究与生产的一项新的手段。在超高真空环境下,待外延的材料以分子束的形式射向衬底并淀积在衬底上形成外延层。用来产生分子束的分子束源组件是该设备中的一个重要组成部分。它的结构如何设计,影响着整个分子束外延设备中其他部件的配置,对整机的工作性能有着直接的关系。分子束源组件包括若干个喷射炉、快门、准直孔、隔热件、液氮冷阱以及有关的安装结构。这里重点介绍除炉体本身外的各个部分以及整体的组成。呈坩埚状的炉子,按安装方位可分为卧式和立式两种。卧式的并不是完全水平安装,以