二氧化锡衬底上Sol—Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

二氧化锡衬底上Sol-Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅（PLT）溶胶,在CVD法沉积生成的二氧化锡/玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（RTA）处理后,用X射线衍射（XRD）测试了膜的结晶取向,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明,Sol-GelPLT膜在SnO2衬底上能正常结晶,结晶温度与在Pt衬底上一致,结晶取向以〈100〉为主取向。10V时,SnO2衬底上厚度为0.56μm的PLT膜的漏电约为5.6×10-7A/mm2,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=24μC/cm2,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

Au/PLT/Pt铁电薄膜电容的电学性能

用 Sol- Gel方法研制了 PL T[(Pb0 .83 L a0 .17) Ti O3 ]铁电薄膜 ,结合非挥发性铁电存储器对铁电电容的要求 ,研究了 Au/ PL T/ Pt铁电电容和漏电流、剩余极化、疲劳、开关特性和揭电常数等性能。对厚度为 0 .4 μm的薄膜 ,5 V时的剩余极化强度 Pr=2 2 μC/ cm2 ,矫顽场强度 Ec=6 0k V/ cm,相对介电常数约 130 0 ,漏电流 Id=3.2× 10 -8A/ mm2 ,开关特性优良。疲劳测试表明 ,对Vpp=10 V的锯齿信号 ,经 4 .5× 10 11周期后 ,剩余极化强度衰减 2 0 %。上述性能表明 ,该 PL T膜能用于非挥发性铁电存储器的试制     

凤凰光学的数码方阵

凤凰光学股份有限公司马年将系列推出凤凰SX-410Z型413万像素、凤凰SX-330Z型330万像素、凤凰SX-210M型210万像素及130万像素的凤凰SX-130F型等一系列专业及普及型数码相机,从而揭开了凤凰进入数码时代的序幕。该系列数码相机是由“凤凰光学”与台湾新普公司合资的南昌数码科技有限公司生产推出的。作为凤凰光学专业生产数码照相机的生产基地“南昌凤凰数码”成立不到两年便能成批、系列推出市场关注的数码相机真令人感到高兴。现逐一作简介,便于读者择用:     

“凤凰光学”产品一族

中国光学行业第一家股份制上市企业─—凤凰光学股份有限公司借“’97”杭博会召开之东风，向广大摄影爱好省推出一系列适合普通消费又慎外我国摄影器材市场空白的照相机及变焦照相镜头，创造了国产照相器材的几个第一（系列产品照片见封面广告）。DC828系列（简称“8”字系列）单镜头反光照相机是国内率先采用日本精工（SEIKO）技术生产的电子控制焦平面钢片快门的单镜头反光照相机，采用PK卡口1，7标头，银白色项、底盖，具有景深预测功能，TI7lTIJ中央重点平均测光，有机械自拍器。DC828应用凤凰光学公司与日本“精工”公司合资快…     

ITO用作铁电薄膜电极的研究

研究了sol-gel掺锡氧化铟（ITO溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是：sol-gelITO膜,虽然具有与CVD ITO膜相似的结晶性能和较高的导电性,但以sol-gel ITO膜作下电极,无法使PLT、PZT的sol-gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大,sol-gel ITO也无法作sol-gel铁电膜（如PLT,PZT）的上电极。但在CVD ITO膜上,sol-gel铁电膜能很好结晶,且Au/PLT/ITO电容,具有良好的电学性能。