Pt(111)小面微结构的反射电子显微分析方法

介绍了反射电子显微术的成像原理和实现这种技术的方法,报道了用JEM-200CX电镜对Pt(111)小面微结构观察的结果。利用反射电子束成像可以揭示平坦小面的微观结构,如单原子高度的台阶,位错露头和滑移迹线等;利用背散射电子成像,可以揭示Pt(111)小面微结构的转变。实验结果表明,反射电子显微术是分析表面微结构的有效方法。     

N型GaN的持续光电导

本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明,未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比,样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加,提高了ＧａＮ中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特     

Na2O—CaO—2P2O5玻璃的分相与析晶

借助扫描电镜、Ｘ－射线衍射、透射电镜等手段，对Ｎａ２Ｏ－ＣａＯ－２Ｐ２Ｏ５玻璃的结构与相变的关系进行了研究。研究结果表明：磷酸盐玻璃的分相和析晶与热处理的时间、温度有关，热处理的时间或温度不同，析晶与分析可以相互转化，适当的热处理温度和时间，有利于控制生物玻璃的活性。     

掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究

研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法．发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下,氮化镓的电子浓度趋于饱和现象．研究了掺硅氮化镓的电学、光学、结晶学以及表面形貌等物理性质．     

高纯氮化镓外延材料的制备

用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝半底上生长了高纯氮化镓外延材料。     

氮化镓缓冲层的物理性质

用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ＧａＮ）缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了ＧａＮ外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对ＧａＮ外延层的影响．提出了一个模型以解释用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果     

氮化镓缓冲层生长过程分析

研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法,发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响．提出了生长过程的微观模型,解释了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ缓冲层过程中观察到的现象．     

Fabrication of GaN epitaxial films on Al_2O_3/Si (001) substrates

Ｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅｈａｓａｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄｇａｐｏｆ3.39ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅａｎｄｍａｙｂｅａｐｐｌｉｅｄｔｏｂｌｕｅ,ｖｉｏｌｅｔａｎｄｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｅｖｉｃｅｓｓｕｃｈａｓｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓ(ＬＥＤｓ),ｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｓ(ＬＤｓ),ａｎｄｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ[1—3].Ｒｅｃｅｎｔｌｙ,ｃｏｌｕｍｎＩＩＩ—Ｖｎｉｔｒｉｄｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｏｎｅｏｆ…     

Na_2O-CaO-2P_2O_5玻璃的分相与析晶

借助扫描电镜、X-射线衍射、透射电镜等手段,对Na_2O-CaO-2P_2O_5玻璃的结构与相变的关系进行了研究。研究结果表明:磷酸盐玻璃的分相和析晶与热处理的时间、温度有关,热处理的时间或温度不同,析晶与分析可以相互转化,适当的热处理温度和时间,有利于控制生物玻璃的活性。