Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体中的复合机制与新型半导体发光器件

本文较为详细地介绍了Ⅱ-Ⅵ族新型化合物半导体材料发光复合机制以及新型发光器件的结构和特性及在近代科学中的应用。     

力敏传感器芯片设计分析

较详细地分析了影响半导体力敏传感器性能的因素;介绍了圆膜片、片方膜、短形膜片上芯片的最佳设计方法．对研制开发新型的力敏传感器有一定的指导意义．     

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。     

硅杯腐蚀技术的研究

本文在大量实验的基础上,对微压传感器中硅杯形成的各向异性腐蚀技术的机理进行了详细分析,提出了几种切实可行的膜厚控制方法与正面图形的保护方法.对实验结果进行了分析与讨论,提出有价值的结论.     

多孔硅的形成与电流电压特性研究

本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。     

微机电系统的研究与分析

详细介绍了微机械电子系统的内涵.内容包括微型传感器、微型执行器等研究领域.还介绍了微机械电子系统加工工艺,阐明了其涉及的科学技术问题,对信息MEMS用途及发展趋势做了较详尽的讨论.     

吃一堑 长一智

<正>作为眼镜销售人员,我们面对的顾客是形形色色的,如何更好地为顾客服务,并且避免在服务过程中产生纠纷,让大家都一个愉悦的心情就显得十分重要。春节里的一天,一对夫妻带着个十七八岁的儿子走进店里,先验光,     

SiC埋层的制备与性质研究

在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层。通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析。结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC。SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成。     

售后服务的重要性

我是一名普普通通的山东人．1994年参加工作．先后在德州的一家商店和一家生产企业做供销业务工作．由于工作性质的关系,经常到外地出差．接触了很多新事物．同时也结识了一些有志者和成功人士．大开眼界。看到很多同龄人都有自己的企业且事业有成．我内心也涌动起自主创业的思潮,”而立之年还不创业情何以堪!     

正方形膜片微压传感器设计分析及各向异性腐蚀技术

本文介绍了正方形膜片微压传感器的结构,分析了其设计思想。并就利用正方形膜片开发的微压传感器的灵敏度作了分析,与同尺寸的圆形膜片比较其灵敏度提高了20%。最后较详细的讨论了微压传感器研制中关键问题——各向异性腐蚀技术。