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氧化铀不仅是重要的核材料, 也是潜在的多功能材料。UO2晶体具有优异的半导体性能和抗辐照能力, 其禁带宽度(1.3 eV)与Si(1.1 eV)相近, 塞贝克系数是常用热电材料BiTe的4倍, 对太阳光的全吸收使其成为高效的太阳能电池材料, 在半导体、太阳能和热电等领域具有巨大的应用潜力。但是UO2随着环境变化会出现从缺氧到过氧的价态变化(UO2±x, x= -0.5~1), 即超化学计量比特性, 给材料制备和性能控制等方面带来很多问题。本文从相图出发, 总结了各种铀氧化物的结构及其稳定性, 重点聚焦UO2晶体的研究进展。理想化学计量比UO2被认为是最好的Mott绝缘体, 其电导率是相对稳定的; 超化学计量比氧化铀则具有半导体特性, 其电导率、热导率、扩散系数以及光学性能都与x密切相关。目前, UO2晶体生长主要采用化学气相输运法(CVT)、冷坩埚法、水热法、升华法、助熔剂法等, 晶体尺寸和质量还不理想, 冷坩埚法和水热法被认为是最有潜力的生长技术。氧化铀单晶生长研究不仅有助于深入了解UO2材料特性, 也为其在太阳能电池、热电器件以及未来电子学领域的应用提供可能性。 相似文献
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温丰 《机械工人(冷加工)》2011,(9):36-38,47
随着现代航空制造技术的发展,现代飞机设计中大多采用整体结构件,零件设计向整体化、复杂化方向发展,从而提高了飞机整体结构强度,简化了装配环节,更有利于数字化协调与传递。 相似文献
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