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本刊讯9月28日 ,在湘两院院士陈国达、何继善、刘筠、高伯龙、古德生、刘业翔、刘宝琛、曾庆元、闻立时、谭靖夷、王三一、俞汝勤等12人视察了湖南省计量测试技术研究所 ,对该所计量工作在促进国民经济发展、推动科学技术进步方面作出的成绩给予了肯定。院士们在听取了该所所长晏政权的工作汇报后 ,对实验楼实验设施、仪器设备、人员状况、环境条件等进行了实地视察。在随后的咨询指导会上 ,院士们一致认为 ,计量科学技术是现代工程和社会发展的技术基础 ,是科学技术转化为生产力不可或缺的手段 ,同时也是政府维护正常的市场经济秩序的… 相似文献
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本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米α-SiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy:H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了α-SiC晶体的形成。 相似文献
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在电子回旋共振 (ECR)等离子体装置中 ,使用Ar气 ,N2 气 ,H2 气和普通空气放电 ,对聚四氟乙烯 (PTFE)材料进行表面处理以提高其表面粘结性能。详细研究了在不同的放电气压 ,微波功率 ,处理时间 ,气体种类的情况下 ,样品表面的接触角的变化。同时也讨论了样品导电性能和外观等的变化。使用红外吸收谱对样品结构处理前后的变化进行了测量 ,对等离子体处理的机理进行了初步的讨论。使用Langmuir探针测量了Ar气和N2 气等离子体中的离子密度 ,用能量分析器测量了离子的能量。发现在对样品的处理中 ,ECR等离子体的离子密度是影响表面性能的主要因素 ,离子能量的作用不明显 相似文献
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给出了气压为10~28000Pa时,环形倾斜裂缝天线等离子体源的放电特性.实验表明,该源在气压为10~2600Pa范围内是大体积表面波放电,并且在气压为10和230Pa时清楚地观察到裂缝天线附近石英管内的等离子体有较明显的8个瓣和12个瓣(表面波模式可确定为m=4和m=6);当气压升高到4000~6000Pa时,在石英管的底端和不锈钢真空室交界处激励起直径约为12cm的高密度等离子体椭球(1011cm-3量级);在气压为11000~14000Pa时,发现等离子体有明显的涡动现象;而当气压上升到20000Pa以上,等离子体有丝状结构出现. 相似文献
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等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了利用光发射谱(OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果,研究了几种过程参数变化中等离子体状态,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH 相似文献
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用化学气相沉积(CVD)金刚石表面金属化,制备了多层膜Cr/Cu/Ni/Au,膜层与CVD金刚石基体间的附着强度高。运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和差热分析(DTA)对Cr/CVD金刚石界面进行了分析,发现在金属化温度低于300℃时,Cr与CVD金刚石之间无化学反应,并对附着机制进行了探讨。在对Cr/CVD金刚石进行热处理时发现,在474.6~970℃之间,DTA曲线有明显的吸热效应,即界面有化学反应产生。在经900℃左右热处理后,XRD分析界面有Cr3C2和Cr7C3生成。 相似文献
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基于S3C44B0X的uClinux的移植 总被引:4,自引:0,他引:4
S3C44B0X作为一款以ARM7TDMI为内核的微处理器,正日益受到广泛的应用;uClinux作为一种运行于没有MMU的嵌入式微处理器的Linux衍生操作系统,也广泛应用于嵌入式开发中。BLOB作为一款功能强大、使用方便、可移植性好的BootLoader,而成为S3C44B0X开发板上非常适合uCilnux的Bootloader。本文介绍一款基于S3C44B0X开发板的开发过程,详细介绍向该开发板移植uClinux操作系统和引导代码BLOB的过程以及移植前的准备工作。 相似文献
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针对用于气象观测的气压传感器手动误差调整方式通用性差、效率低等问题,设计了用于目标传感器误差调整的误差自校准系统;研发的传感器误差自校准软件配合自主设计的传感器多通道转换器与压力控制器、气压标准器,可同时完成8个通道气压传感器的误差自动调整任务;实际测试中,系统在1小时内完成了8通道传感器的误差自动调整,经过调整后的各通道传感器的误差绝对值均未超过0.05 hPa,远小于传感器出厂的最大允许误差±0.25 hpa及规范要求的±0.30 hPa误差范围,提升了传感器误差调整工作效率的同时,有利于提高气压观测数据质量。 相似文献