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在利用高分辨电子显微术研究 Si_3N_4结构过程中,有了新的发现。这些发现包括纳米级裂纹、超结构、纳米畴和辐射损伤等。纳米级裂纹是晶粒中纳米大小的裂纹,它可能是导致穿晶断裂的裂纹。超结构可能影响Si_3N_4晶粒的力学性能,我们在研究中发现了三种超结构。纳米畴是晶粒中一种新的结构缺陷,在研究中我们发现了两种这类畴。也研究了辐射损伤,发现 α-Si_3N_4比β-Si_3N_4更易于受到辐射损伤,这说明β-Si_3N_4比α-Si_3N_4结构更稳定。还仔细地研究了 Si_3N_4陶瓷的晶界,结果指出,晶界工程对于改善 Si_3N_4陶瓷的力学性能是强有力的手段。 相似文献
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氮化铝(AIN)陶瓷是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,有着广泛的应用前景.由于AIN陶瓷的高热导性和低电导率、介电常数和介电损耗,使之在大功率微电子领域成为高密度集成电路基板和封装的理想候选材料,具有巨大的潜在应用市场.但是普通AIN陶瓷因为相对低的纯度和烧结性而不能满足高热导的期望.国际上关于AIN透明陶瓷的报道极少[1,2],而国内尚未见报道.最近我们开展了透明氨化铝陶瓷材料的烧结及其热性能和结构的表征研究.从研究氨化铝低温烧结所需的烧结助剂出发,根据在不同烧结助剂体系下,氨化铝表现出的不同烧结行… 相似文献
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铬酸镧是一种钙钛矿型复合氧化物 ,它在掺杂Ca2 + 等二价碱土金属后由于Cr3 + 离子的变价使其成为一种半导体材料。它是目前最好的发热材料之一。国外的铬酸镧发热元件制造工艺对我国是保密的。我国的铬酸镧发热元件在小尺寸规格上的使用寿命与国外的相当 ,但其抗热震性较国外还有较大的差距。本文通过扫描电镜对比分析了国内外铬酸镧发热元件的显微结构 ,试寻求提高国产铬酸镧发热元件抗热震性的途径。1 实验方法本实验选取日本和包头稀土研究院生产的铬酸镧发热材料作为研究对象。表 1 实验用试样试样编号试样名称备注1#包头稀土院… 相似文献
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本工作运用透射电子显微镜(TEM)对N2以及N2+CO两种不同气氛下制备α-Sialon/SiC(W)复合材料的显微结构进行了观察.实验揭示了两种复合材料具有明显不同的相界结构:N2气氛下制备的材料中,基体与晶须间的界面结合牢固;而在N2+CO气氛下,由于CO气体与SiC晶须表面发生化学反应生成SiO2;导致相界面上渗入一层很厚的玻璃相.两种相界结构均导致材料性能的下降.本工作提出了改进α-Sialon/SiC(w)复合材料显微结构的几个可能的途径. 相似文献
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NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。 相似文献
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β″-Al_2O_3是重要的快离子导体,离子传导由结构中的钠氧层承担,每个β″-Al_2O_3晶胞中含三个尖晶石“基块”,相间三个钠氧传导层(见图1)。有人用高分辨电子显微镜曾观察到,β″-Al_2O_3在电子束作用下其钠氧传导层消失,从而导致相邻的两个尖晶石块直接相连。我们不仅从高分辨象,而且还从电子衍射的结果证实了这种二基块直接相连的现象,并进一步发现:β″-Al_2O_3在电子束作用下,还会产生超结构现象.我们的研究还指出,这类电子辐射损伤还与材料中某些缺陷有关.电子辐射产生大量缺陷,缺陷的产生反过来使辐射损伤进一步加快,在某些区域甚至出现无序化的倾向。 相似文献
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用分析电子显微镜观察了碲镉汞晶体的显微结构。发现在大剂量电子辐射下,显微结构有较强的损伤。进一步用 X线能谱分析和高分辨电子显微术研究表明,大剂量电子辐射引起了碲镉汞晶体的超结构、叠栅、无序化和 Hg 含量减少。 相似文献
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