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晶体生长的边界层效应—兼论光学实时观察法晶体生长技术 总被引:1,自引:0,他引:1
晶体生长边界层模型起源于流体动力学边界层模型,但两者又不完全相同.晶体生长边界层模型有两方面的含义:(1)在固-液界面处的、垂直于界面的、由杂质和组份构成的质量流决定晶体生长速度;(2)在界面附加溶液一侧的质量浓度流,其浓度分布是决定界面稳定性的基本参数.特征扩散长度是表征垂直于界面的质量流的一个重要参数.对熔体晶体生长而言,理论估计此值在0.04~0.4cm之间.光学实时观察法晶体生长技术是一种研究晶体生长过程的新颖方法.它能有效地区分扩散-平流和扩散-对流两种不同的生长状态,其实验测得的KNbO3熔体生长的特征扩散长度值为0.01~0.1cm之间.应用此方法实时观察到胞状结构的形成和发展,也证实了界面附近的质量浓度流是决定界面稳定性的一个重要参数. 相似文献
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利用差示扫描量热计(DSC)研究了非化学计量Ni1.95Mn1.36Ga0.69合金的马氏体相变及结构有序化处理条件.根据DSC峰型特征的变化,可确定在800℃进行结构有序化处理是合适的.在800℃又进行了不同保温时间的处理,并测定了马氏体相变的特征温度.马氏体相变特征温度随保温时间的增加呈规律变化,相变热滞随保温时间的增加呈下降趋势.经50h的有序化处理后,再继续延长保温时间,马氏体相变特征温度和热滞均不再有明显变化.本文研究结果表明,对于Ni1.95Mn1.36Ga0.69合金,应选用800℃×50h的结构有序化处理工艺. 相似文献