引领梅山高职办学 推进职工素质工程

高等职业技术教育是培养适应现代化生产需要的技术、管理和服务方面的高级应用型人才。高职人才应具有必要的专业理论知识和较强的实践能力。基于梅山高职办学的实践，针对高职办学体系的“本土性”特点、高职人才培养模式以及办学中应解决的主要问题进行了阐述。     

基于灰度共生矩的图像区域复制篡改检测

针对图像区域复制—粘贴篡改,提出了一种基于灰度共生矩阵的检测算法。首先将待检测图像分成大小相同的多个重叠块,用灰度共生矩阵的统计量表示每块图像的纹理特征,得到图像的特征矢量。然后将特征矢量进行字典排序,并结合图像块的位移矢量,检测且定位出篡改区域。实验结果表明,该算法在抗旋转处理和效率方面均优于经典的基于主成分分析法（PCA）的检测算法。     

基于任务复制的处理器预分配算法

基于任务复制的调度算法比无任务复制的调度算法具有较好的性能．文章在分析了基于任务复制的几个典型算法(如TDS，OSA等算法)及其假设条件后，提出了以使调度长度最短作为主要目标、减少处理机数目作为次要目标的处理器预分配算法PPA．该算法对任务计算时间与任务间通信时间未做任何限制(即不考虑任务粒度)．通过与相关工作的比较可以看出：PPA算法在调度长度与处理器使用数目上均优于其它算法或与其它算法相当，同时，该算法具有与TDS，OSA相同的时间复杂度．这对嵌入式实时分布系统具有重要的意义。     

重丰中子同位素237Th半衰期的测定

用60 MeV/u 18O离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子同位素237Th.使用改进的相对快的分离钍的放射化学流程,从大量铀和复杂反应产物混合物中分离钍,用高纯锗(HPGe)探测器联同多道分析器对化学分离的钍样品做离线γ射线谱学研究,通过对237Th子体237Pa(半衰期8.7 min)的853.7 keV γ射线的生长-衰变曲线的分析,确定237Th的半衰期为4.69±0.60 min.     

低电负性阴离子掺杂调控钴酸锌的电子结构以提高析氧反应活性（英文）

电子结构和电导率是析氧反应活性的重要描述符,它们可以通过掺杂来调节.鉴于金属掺杂通常会减少电催化剂的活性位点数量,本工作探究了阴离子掺杂对尖晶石钴酸锌(ZCO)电子结构及其析氧活性的影响.与三价钴为主的ZCO相比,用电负性较低的硫取代氧会提高低自旋态(t_2g⁶e_g¹)二价钴的占比,其析氧活性要高于低自旋态的三价钴(t_2g⁶e_g⁰).掺硫钴酸锌(ZCO-S)中钴离子和阴离子之间的电子密度的再分布导致了二价钴的增多,而且钴和硫离子间的强共价作用也会加速电荷迁移.ZCO-S在1.65伏(相对于可逆氢电极)下的比活性比原始ZCO高11倍.相反,掺入具有较高电负性和价态的氟(F)并不能有效地改善电子结构,最终导致材料析氧活性的降低.本工作建立了所掺阴离子的电负性与钴酸锌本征析氧活性之间的联系,并提供了一种通过掺杂不同电负性的阴离子来调控尖晶石氧化物的电子结构的简单有效的方法,这为合理设计高性能尖晶石电催化剂提供了新途径.     

多波长集成光源阵列封装用微波馈线设计

针对多波长集成光源阵列封装设计了一种具有低传输损耗、低串扰的阵列微波馈线。通过分析微带线和接地共面波导在传输高频微波信号时的优缺点,设计了一种桥型微波馈线结构。同时利用有限元法,对馈线尺寸参数进行仿真优化。在30GHz范围内,得到了反射系数低于-17dB、传输损耗小于0.4dB、相邻信号电极间串扰小于-26dB的仿真结果。设计了基于金线键合的阵列芯片方案,并通过有限元法仿真确定了传输性能良好的封装间距。     

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

丰中子核素238Th的分离和鉴别

用60MeV/u     

煤中的氧氮比对NO_x生成的影响

许多研究者定量地说明了燃料中氮转化为NO_x的量,很大程度上取决于燃烧区域的氧气浓度。在煤粉燃烧中,氧有两种来源,一种由运行过量空气提供,另一种就在煤的自身之中。本文的研究结果,定量地说明了燃料中氮的转化与运行过量空气的关系,另外,还说明了煤中氮向NO_x的转化取决于煤中含氧量。从十二台机组的现场试验数据来看,煤中氮向NO_x的转化百分比,随煤中氧氮比的增加而增加,运行过量空气量为20%时,转化百分比的变化范围是6%到15%。本文的要点是煤的含氧量在形成燃料型NO_x的过程中起重要的作用。从文中所列事实可以想象,能达到的NO_x排放量的下限值受到煤中自身的含氧量的限制。     

电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性，发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件，得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术，获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面，选择比达15：1。