棕棉混纺针织纱的工艺实践

探讨棕棉混纺针织纱的纺纱工艺.针对棕棉和有机棉的不同性能特点,确定合理的纺纱方案,在纺纱各工序采取一系列工艺技术措施,采用并条混和的工艺路线,通过优化工艺、严格控制好各工序温湿度,最终顺利生产出棕棉/长绒棉/有机棉40/35/25 14.6 tex混纺针织纱,满足了针织纱的使用要求.     

退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响

利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。     

纳米材料在聚合物电致发光中的应用

聚合物电致发光在固态照明和平板显示领域展现出广阔的应用前景,使之成为企业界和工业界研究的热门课题。纳米材料具有独特的物理化学性能。将其引入聚合电致发光器件中,可实现优异的器件性能。这种纳米材料与聚合物相结合的具有新颖器件结构的聚合物电致发光二极管很快成为了新的研究热点。文章从引入纳米材料的不同方式和纳米材料在聚合物发光二极管中的不同功能方面对其在聚合发光二极管中的应用做了详细的介绍,并对其应用前景作出展望。     

高功函数金属Al作阴极的高效率白光聚合物电致发光

我们用聚电解质PFN做电子注入层,制备了高功函数金属Al做阴极的高效率白光聚合物电致发光。以蓝绿光发光中心的聚合物为主体和掺杂红光磷光染料,通过改变红磷光的掺杂浓度调节器件的电致发光光谱,得到白光发射。并研究了电子传输材料对WILLED器件发光光谱的影响。     

一维纳米材料的研究进展

近年来，一维纳米材料倍受人们的关注，其研究也取得了突破性的进展。本文概述了一维纳米材料的研究进展，详细讨论了其分类、制备方法、表征手段。最后扼要介绍了其在各个领域的最新应用。     

金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后...     

热交链NPD二聚体空穴注入层对PLED性能的改善

基于在PEDOT层上旋涂可热交链的NPD二聚体（VB-NPD）做空穴注入层实现高效率的聚合物发光二极管（PLED）,采用的器件结构为ITO／PEDOT（40nm）／VB-NPD／PFBT5（40nm）／TPBI（20nm）／CsF（1nm）／Al（i00rim）。通过调节VB-NPD层的厚度发现,当VB-NPD层的厚为...     

基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述

随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求.阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域.就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述.     

锐钛矿二氧化钛纳米线的水热制备及其表征

利用水热法制备了锐钛矿TiO2纳米线,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对TiO2纳米线的形貌、成份进行了分析表征。在进行AFM观测时,采用一种简单易行的方法将TiO2纳米线固定在ITO玻璃衬底表面,解决了AFM扫描过程中样品不能稳定吸附在衬底上的问题。经过适当改进,该方法同样适用于其他粉末状纳米材料的原子力显微镜和扫描隧道显微镜（STM）研究。     

提高络筒机效率的几项措施

总结提高络筒机效率的措施。分析了影响络筒机效率的因素,阐述了清纱曲线的优化方法、络纱速度的选择原则和提高捻接成功率的工艺操作要点。认为:在保证产品质量的前提下,合理设定清纱工艺和络纱速度,做好各项维护保养工作,加强络筒机效率管理,能有效降低损耗,提高制成率和络筒机效率。