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采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争. 相似文献
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通过实时采集单光子计数器响应输出的时间分辨每个同步事件研究光场的光子统计分布特性。通过最佳信号噪声比分析，讨论了单分子光辐射在具有时间均匀分布背景信号时对同步采样时间的选取。利用理论分析单分子光子源最佳信噪比与采样门的对应关系，应用计算机虚拟采样测量单分子光辐射信号，获得了较理想的测量结果。 相似文献
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