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利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同。Au/GaAs界面退火实验表明,当退火温度小于约225℃时,表面内Ga、As含量随退火温度升高而等量增加;温度高于225℃时,As开始逸出。热退火同时还会使Au芯能级位置向高束缚能端移动。 相似文献
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利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。 相似文献
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在分析型透射电子显微镜(TEM)上,利用反射电子显微术(REM)我们系统地研完了用分子束外延法生长的AlGaAs/GaAs异质多层材料及应变InGaAs/GaAs超晶格材料。在对AlGaAs/GaAs超晶格截面的观察中,REM的空间分辨率达到了20(?),并可分辨化学组分变化0.5%的AlGaAs/GaAs异质结界面。在对表面形貌的研究中,REM可观察到用Nomarski相衬显微镜都无法观察到的InGaAs/GaAs应变超晶格表面crosshatch条纹,显示其对表面不平整性的极高灵敏度。我们还发展了一种新方法,用以准确、直观地观察多层膜材料的腐蚀深度,从而控制器件制作过程中的腐蚀工艺。 相似文献
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本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂浓度△nmax/n≤3%,椭圆缺陷≤300cm-2)的外延材料.分析了暗电流的成因,通过加厚势垒(Lb≥300)、控制掺杂(n≤1×10 ̄18cm ̄3)、精确设计子带结构,将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善.由此得到了高质量的 相似文献
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