基于InP DHBT工艺的6 bit DAC设计与实现

基于InP双异质结双极晶体管(DHBT)工艺设计并实现了一款6 bit高速数模转换器(DAC)芯片,该InP工艺DHBT器件的电流增益截止频率大于200 GHz,最高振荡频率大于285 GHz.DAC芯片采用R-2R梯形电阻电流舵结构,输入级采用缓冲预放大器结构,实现输入缓冲及足够高的增益;D触发器单元采用采样/保持两级锁存拓扑结构实现接收数据的时钟同步;采用开关电流源单元及R-2R电阻单元,减小芯片体积,实现高速采样.该DAC最终尺寸为4.5 mmX3.5 mm,功耗为3.5W.实测结果表明,该DAC可以很好地实现10 GHz采样时钟下的斜坡输出,微分非线性为+0.4/-0.24 LSB,积分非线性为+0.61/-0.64 LSB.     

小型化封装的四通道多功能电路

基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路.该多功能电路集成了通道选择、6 bit移相和4 bit衰减等功能,由低噪声放大器(LNA)芯片、功分开关网络多功能芯片(MFC)、数控移相衰减多功能芯片、3-8译码器芯片和多层陶瓷外壳组成.测试结果表明,在频率为2.0～3.5 GHz时,电路增益大于16 dB,噪声系数小于1.3 dB,端口电压驻波比(VSWR)小于1.5∶1,多功能电路采用+5 V/-5 V供电,工作电流分别为110 mA@+5 V,48 mA@-5 V.多功能电路的封装尺寸为19.0 mm×17.0 mm×3.1 mm.     

应用于SoC的全数字锁相环ASIC设计

设计了一种全数字锁相环(All-Digital PLL).该锁相环中环形数控振荡器由使能单元构成,且环形结构分为粗调和精调两部分,具有锁定范围宽、锁定精度高、功耗低的特点,且捕获范围可以根据需要进一步拓宽.本设计基于CMOS标准单元,所有子模块均采用可综合的Verilog HDL代码描述,利于不同工艺问的移植,设计周期...     

膜用聚酰亚胺交联研究进展

自1960年美国杜邦公司改进聚酰亚胺(PI)合成技术生产了膜材并首次应用于工业以来,PI在信息化时代大放异彩,其相关研究得到长足的发展.在气体分离工业及新能源等领域,交联改性是提高PI膜性能的有效方式.本文综述了近年来膜用PI交联改性研究的最新进展,主要包括热交联、紫外交联和化学交联3种方式,并对未来交联PI膜的研究方向进行了展望.     

淀粉胶材料的应用及性能研究

随着国内限塑令的发布，可降解塑料成为当前研究热点。应用广泛的可降解塑料如PLA、PBAT等塑料母料制成包装袋成本较高，不能良好适应现有市场规则。对PBS塑料进行发泡处理，利用TPU和淀粉使其粘附于纸质材料上，制备出一种新型可降解包装袋。此新型可降解包装袋单面回弹力最高可达到153 N、45天相对降解率达52.6%,环保无毒，是一种推广可降解塑料的良好选择。     

聚酰亚胺类聚合物合成及其在涂层中应用研究进展

随着科技的发展，涂层领域对高性能聚合物的兴趣和需求增加。聚酰亚胺类聚合物作为高分子金字塔顶端的材料，理应在涂层领域发挥作用。聚酰亚胺类高分子涂层由于其结构的特殊性，常常用作热防护层、防水耐湿层、耐辐射层等隔离层，在航空航天、电子、机械制造以及建筑等行业具有广泛的应用。本文介绍了聚酰亚胺类聚合物(PI,PAI,PEI)的合成方法，着重阐述了高性能聚合物(PI,PAI,PEI)近几年在涂层方面的研究与发展，最后对聚酰亚胺类高性能涂层材料现阶段面临的问题与挑战以及未来的发展方向提出了看法。     

杂化壳相变微胶囊的制备与热性能研究

采用原位聚合法以石蜡为储热芯材、二氧化钛和壳聚糖的杂化壳体为壁材、石墨烯微片（GNP）作导热填料制备一种结构稳定的防泄漏相变微胶囊。采用电镜扫描（SEM）、傅里叶红外光谱（FTIR）、热重分析法（TGA）、差示扫描量热法（DSC）和导热系数测试仪研究不同芯壳比、GNP填充量对微胶囊的微观结构、表面官能团、热稳定性、相变性能和导热性能的影响。结果表明：制得微胶囊的结构致密防泄漏性能良好，微胶囊相变潜热最高达到134.78 J/g，对应包覆率为75.51%,GNP的加入使微胶囊的导热系数提高261.5%。