用weibull理论评价表面处理对碳纤维拉伸强度的影响

采用常压等离子体对碳纤维表面进行改性处理,用weibull理论评价了等离子体处理前后碳纤维抗拉强度及其离散性的变化,验证了形状参数和强度离散的关系.结果表明常压等离子体处理在改善碳纤维表面性能时,基本不会影响碳纤维强度及其离散性.     

超薄Ni81Fe19薄膜的各向异性磁电阻及磁性能

利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大。随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。     

纤维直接喂入注塑成型碳纤维/聚碳酸酯复合材料力学性能研究(英文)

为了节约加工过程所耗费的能源,提高生产效率,纤维直接喂入注射成型工艺被开发和建立起来。在本次研究中,来自不同厂家的4种碳纤维和聚碳酸酯被用来制作哑铃状的碳纤维/聚碳酸酯样品。通过研究拉伸和界面性能,发现由于纤维分散性和界面强度不同,导致了最终的力学性能上明显的差异。     

NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fe19)1-xNbx(t)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用原子力显微镜(AFM)分析样品表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构。结果表明,(Ni81Fe19)0.807Nb0.193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe19厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4nm时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。     

NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响

利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR),利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,当基片温度为450℃时,通过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到5.01%,比无NiO插层时提高了40%。     

染色羊绒剥色工艺研究

企业在生产中常需对染色后的羊绒纤维及其制品进行剥色.染花的半制品需进行剥色,染色回丝需进行剥色,对染色羊绒的定性鉴别和分析及产品改染都需进行剥色.文章系统研究了剥色剂的性质与羊绒常用染料的剥色性能,在大量实验的基础上,制定出合理的剥色工艺,达到理想的剥色效果和较低的强度损伤;并指出当前染色绒剥色存在的问题和今后的研究方向.     

羊毛针织物仿旧整理工艺研究

本文利用还原剂对毛织物进行处理,即在织物地色上,通过控制各种工艺条件,用还原剂使花色部分退去,再与物理方法相结合,使织物表面呈现陈旧感,达到织物仿旧的目的。毛织物仿旧,尤其是羊毛衫仿旧一改传统毛织物庄重、高雅的特点,使产品具有休闲风格,丰富了羊毛衫的花型,满足了不同客户的需求,同时提高羊毛衫产品的技术含量和附加值。     

基片温度对Ni81Fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。