应用闭管化学气相传输法制备Hg_(1-x)Zn_xFe体单晶

本文应用闭管化学气相传输方法制备Hg_(1-x)Zn_xFe单晶体,测量其完整性、晶格常数,组份及晶格结构。同时对于影响晶格组份的因素也作了初步探索。     

应用气相升华法制备CdTe晶体及其性质的研究

本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,是一种很有应用前途的方法。     

用闭管化学气相输运方法制备Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜

应用闭管化学气相输运方法在CdSe衬底(0001)和(0001)面上制备了Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜.膜表面光滑平坦,其二次电子形貌线扫描平直均匀.腐蚀坑密度为10~5/cm~2量级,与衬底基本一致.光学显微镜下观察表明膜厚均匀,结线平直.X光省射劳厄衍射斑点表明,小温差下生长出的外延膜具有纤维锌矿结构,较大温差下生长出的外延膜具有闪锌矿结构.用电解液电反射谱法测量了外延膜的组分x值,结果表明,通过改变生长条件可以得到0.1