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1.
本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMESFET直接耦合逻辑FET单元电路.该单元电路比已有的各种GaAs数字集成电路单元电路有明显优点,是GaAs数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路. 相似文献
2.
本文针对中等稳定以上的直接顶,引用“梁”和“拱”的理论,在对直接顶岩梁及断裂后形成的三铰拱进行力学分析,并考虑直接顶岩层力学性质的复杂性,提出三点假设的基础上,导出了计算直接顶初次垮落步距的经验公式。 相似文献
3.
4.
MSM光电探测器特性二维数值模拟 总被引:1,自引:1,他引:1
为了解释在InGaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM—PD)内光产生载流子的行为及器件内电场分布,本文用有限元法数值求解了含复合项的二维泊松方程、电流连续方程及电荷俘获速率方程。得到了InGaAs MSM光电探测器的电流—电压特性及器件内电场和载流子分布。模拟结果解释了实验观察到的雪崩击穿现象,并表明电子电流比空穴电流提前饱和。 相似文献
5.
6.
7.
8.
压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会有少许下降;而在刻蚀气体中加入少量SF_6且压强及流量较大时,各部分的刻蚀速率一致性较好。由此得到了一个优化后的刻蚀条件,反应气体:O_2+SF_6,气体流量分别为40 cm~3/min和5 cm~3/min,压强9.31 Pa,RF功率20 W,此时刻胶速率可稳定在0.8μm/min左右,且均匀性较好。 相似文献
9.
数字微波共面带线非线性终端瞬态特性模拟及分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用FD-TLM法对高速数字微波共面带线端接电阻及非线性终端──半导体二极管时的瞬态响应特性的模拟及分析,并提出一种适用于处理传输线结构终端吸收边界问题的简单、实用的方法。 相似文献
10.