Na_(1+x)Zr(2-x)M_x(PO_4)_3系统的相组成和导电性能的关系

在Na_(1+x)Zr_(2-x)M_x(PO_4)_3(M=Y、Yb和In)系统中确定了形成R3c结构固溶体的极限组成。在M=Y、Yb和In时,x分别为0.8、0.9和≈1.8。固溶体的晶格常数随组成呈线性变化。根据测得的晶格常数值计算了固溶体的理论密度。 测定了三个系统固溶体350℃时的电阻率。在M=Y和Yb的系统内,固溶体的电阻率随x的增加而降低,至固溶体的极限组成电阻率最小,分别为151Ω·cm和101Ω·cm。其200～400℃间的活化能则分别为0.37eV和0.35eV;在M=In的系统内,固溶体的电阻率先随x的增加而降低,至x=1.2时具有最低值。在x>1.2的组成,电阻率随x的增加而增加。最低电阻率为135Ω·cm,在300～400℃间的活化能为0.27eV。 讨论了组成、结构和导电性能之间的关系。     

无机物质对BPDA-ODA/LiClO4系电导率的影响

采用线型缩聚法合成了ＢＰＤＡ－ＯＤＡ／ＬｉＣｌＯ４高分子快离子导体。并在其中加入无机物质作比较。用交流阻抗谱法测定了共聚物薄膜的电导率。结果表明：无机物质种类对该系统电导率的影响大于颗粒度对电导率的影响。添加ＳｉＯ２，不论其颗粒度为０．９６μｍ或是〈０．１μｍ，都能使该系统２００℃的电导率提高一倍左右。     

Ln2O3—SrO—V2O5（Ln=Y,Nd）系统的相关系

在修正各二元素的基础上研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｒＯ－Ｖ２Ｏ５和Ｎｄ２Ｏ３－ＳｒＯ－Ｖ２Ｏ５三元系统的相关系，并提出了它们的亚固相图。在后一系统中发现了一个新相Ｎｄ８ＳｒＶ３Ｏ２０．５。在近Ｎｄ２Ｏ３－ＳｒＯ二元系处发现一个三元固溶区。     

Na_3Zr_(2-x)Y_xSi_(2-x)P_(1 x)O_(12)系统的相组成和导电性

为了进一步研究化学取代抑止相转变的可能性,研究了Na_3Zr_(2-x)Y_xSi_(2-x)P_(1 x)O_(12)系统。结果表明:与Yb~(3 )取代Zr~(4 )的情况一样,在NASICON中,用Y~(3 )取代Zr~(4 )也能把NASICON的三方型稳定在室温。 用L.Pauling公式对固溶体的各组成进行了M—O键的离子性的计算,结果表明:固溶体电导率的增加和骨架共价性的增加无关。     

K_（2x）M_（1－x）Zr_4（PO_4）_6（M＝Sr，Ba）系统的热学和

用固相反应法合成了Ｋ２ｘＭ１－ｘＺｒ４（ＰＯ４）６（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）固溶体。用逐步推进的最小二乘法对固溶体各组成的高温Ｘ射线衍射线条进行指标化，精确计算了晶格常数目温度的变化，并由此计算轴向膨胀系数αａ和αｃ，所得结果和用顶杆法测定的热膨胀系数相吻合。用复数阻抗谱法测定了固溶体的电导率随温度及组成的变化。     

K2xM1—xZr4（PO4）6（M=Sr,Ba）系统的热学和电学性能

用固相反应法合成了Ｋ２ｘＭ１－ｘＺｒ４（ＰＯ４）６（Ｍ＝＝Ｓｒ，Ｂａ）固溶体。用逐步推最小二乘法对固溶体各组成的高温Ｘ射线线条进行指化，精确计算了晶格常数随温度的变化，并由此计算轴向膨胀系数ａａ和ａｃ，所得结果和用顶杆法测定的热膨胀系数相吻合。用复数阻抗谱法测定了固溶体的电导率随温度及组成的变化。     

Na_3Zr_(2-x)Mg_xSi_(2-2x)P_(1+2x)O_(12)系统的相关系和电性能

研究了Na_3Zr_(2-x)Mg_xSi_(2-2x)P_(1+2x)O_(12)系统的组成、结构和电性能。结果表明:Mg~(2+)能在一定的组成范围内取代Na_3Zr_2Si_2PO_(12)中的Zr~(4+)形成固溶体,单相固溶体区域延伸至x=0.5;当x=0.4时固溶体的结构由单斜转变为三方。固溶体的电导率随x的增加而降低。本文还从结晶化学的角度讨论了Na_3Zr_(2-x)Mg_xSi_(2-2x)P_(1+2x)O_(12)系统的组成、结构和电性能的关系。     

Y—Ba—Cu—O超导陶瓷的热压研究

用热压技术制备了高密度的 Y-Ba-Cu-O 材料,在适当条件下热处理,可以形成与烧结材料相同的高 T_c超导体。显微结构和 X-光衍射分析表明:在热压的 Y-Ba-Cu-O 超导陶瓷中,晶粒成片状生长,优先生长的方向与正交晶系中的 c 轴向垂直。片状晶体在一定的近程内平行排列,远程范围内无定向性,本文还对此类显微结构的取向特征与材料的超导特性进行了讨论。