半导体红外反射率的调制

重掺杂半导体的以射率在最小反射率附近随入射波长的改变有较大的变化，而半导体材料的最小反射率波长λｍｉｎ决定于自由载流子浓度，故掺杂引起的热平衡载流子浓度的变化和光注入、ｐ－ｎ结注入引起的过剩载流子浓度的变化都会导致半导体红外反射率谱的改变，这种变化在最小反射率波长附近非常大。当过剩载流子浓度达到热平衡载流子浓度的０．２倍时，半导体对波长为λｍｉｎ的红外光的反射率从３％变化到４５％，利用这种变化可以     

Windows下图象处理软件的设计

本文介绍Windows环境下用C 面向对象技术实现图象处理软件的设计，给出建立图象显示基类和图象处理函数的方法。实践证明，软件设计效果良好。     

低对比度红外热图像对比度增强技术

在对红外热图像对比度进行增强时，常采用基于直方图的图像灰度线性或非线性变换技术，其缺点是易放大噪声。而根据二进小波变换建立红外热图像的梯度矢量图，通过对红外热图像梯度矢量图的变换可以有效地增强图像对比度且能抑制噪声的放大。     

楔形发射体真空微三极管性能的有限元分析

楔形发射体的有效发射面积较大，能够承受较大的发射电流，并产生较高的跨导，因而更适用于大功率微波放大器。用有限元法对器件的性能进行了分析，计算出了器件内部电场和电势分布，用Fowler-Nordheim公式计算出了场致发射电流，得到了楔形发射体真空微三极管的电流发射特性，所得结果对器件的设计和制造有重要的参考价值。     

集成真空微电子器件的研究及展望

概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0 μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50 S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率ITHz下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。     

真空微电子器件的数值模拟

本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、栅孔半径ｒ＿ｇ的电流灵敏度分别是３．７×１０￣７Ａ／ｎｍ和１．１×１０￣３Ａ／μｍ。     

Wiandows下图象处理软件的设计

本文介绍了Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下用Ｃ＾＋＋面向对象技术实现图象处理软件的设计，给出建立图象显示基类和图象处理函数的方法。实践证明，软件设计效果良好。     

集成真空微电子器件的研究及展望

概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。     

微辐射热计红外探测器的性能预测

叙述了用微细加工技术制作的非致冷单片式半导体薄膜电阻辐射热红外探测器的结构模型。基于模型所预测的性能与实验结果相符合。性能分析表明，高的热绝缘和低噪声是高性能微辐射热红外探测器的关键。     

非致冷测辐射热计的研制方案

介绍一种基于氧化钒（ＶＯｘ）测辐射热计探测器的红外焦平面阵列（ＩＲＦＲＡ）,叙述了它的材料、制作方法、探测器列阵、真空封装和器件性能等有关问题,并与其它与非致冷热电焦平面阵列进行了比较。氧化钒（ＶＯｘ）测辐射热计ＩＲＦＰＡ可构成高质量的红外热像仪,非常适合于军事和民品的广泛应用,在下一个十年这项技术有望发展成为一种新的产业。