液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性

通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分析,并对制成的条形激光器的电学和光学特性进行了测量。本文给出了这些研究结果。     

用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器

我们采用液相外延的方法，在ｎ－ＧａＡｓ衬底上生长分别限制单量子阶作为激光器的有源区．国内首次采用银膜作为垂直短腔面发射激光器的谐振腔的反射镜和欧姆接触电极．分别制作了底部和顶部出光的两种类型管子，在室温脉冲工作状态下，均已观察到激射．顶部出光管子阈值电流为４．５Ａ；底部出光管子阈值电流为３．８Ａ．激射波长为８７２．８ｎｍ，纵模间隔为１．９ｕｍ．同时还研究了不同银膜厚度在ＧａＡｓ界面上的反射率．     

环锤式碎煤机的振动与备件国产化

环锤式碎煤机的结构见图 1,主要由机腔和转子 2大部分组成 ,套在悬置杆上的 4排环锤担任破碎任务。其转子结构运行时容易产生较大的振动 ,最大程度地减轻振动是碎煤机调试维护的关键内容。碎煤机的机腔由反击板、栅板、护板构成。栅板、反击板以及环锤本身是主要的易磨损耗件。如何合理维护并国产化备品备件是一个重要课题。1　碎煤机振动的原因分析及对策碎煤机的振动可能来自以下方面 :(1)基础问题　预埋螺栓的深度与牢固度以及垫板是否水平对抗振非常重要 ,一些剧烈的振动很可能来自基础的松动。(2 )轴承问题　轴承损坏、游隙增大、轴承…     

用新型可交联极化聚合物材料制备的脊波导有机电光调制器

制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器 ,其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料 .旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为主要的工艺步骤。 1.3μm光源光纤耦合输入脊波导调制器 ,得到很好的输出端单模近场图及清晰的低频调制信号     

InGaAsP／InP MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器

一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．     

计算机程序控制电晕极化系统

研制了计算机程序控制的电晕极化系统，系统由５８６计算机，加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成，实现了电晕极化实验自动化，此实验系统使用方便 ，灵活、稳定，是极化聚合物材料，光波导和调制器研究中关键工艺设备，可大大提高工作效率，可靠性，重复性和实验的精度。     

载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关

研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。     

用瞬态电容谱技术观察AlGaAs DH结构中的深能级

用瞬态电容谱技术(DLTS)能探测到10~(-3)×|N_D—N_A|的深能级中心。能量范围从0.2ev到禁带中心。实验中测量了宽接触,条形以及老化各阶段的AlGaAsDH结构。给出了各样品典型的DLTS谱。着重观察0.35ev(LE_2),0.89ev(LE_4)及LED三个电子陷阱的特性,讨论了这些能级与器件工艺和性能之间的关系。概述了这些深能级与衰退机理之间的联系。     

液相外延生长的GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构的俄歇电子谱研究

我们采用俄歇电子能谱仪对液相外延生长的GaAs—Al_xGa_(1-x)As异质结构进行了研究。结果表明:在异质结界面处有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,过渡层的厚度依赖于溶液的饱和度。还对外延片表面的沾污情况进行了观测分析。     

用X射线形貌技术研究GaAs衬底及GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷

我们利用透射X射线形貌技术观察了 n-GaAs衬底及 GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH外延片中的晶体缺陷,并且用高分辨率形貌技术与金相技术进行了对照.证明了普通X射线形貌像中的衬度是由晶体缺陷形成的.根据X射线形貌像,我们对n-GaAs衬底及GaAs-AlxGa_(1-x)As DH外延片中的缺陷密度作出了评价. 采用常规的DH液相外延技术及质子轰击条形的器件工艺,将我们研究的衬底制成了激光器.测试结果表明:器件的成品率和质量与我们对衬底中缺陷密度的评价完全对应.利用X射线形貌技术挑选出的低缺陷密度的衬底,我们获得了很多性能优良的长寿命激光器.